CJF6668

CJF6668

  • 厂商:

    ETC1

  • 封装:

  • 描述:

    CJF6668 - PNP SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTOR - List of Unclassifed Manufacturers

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  • 价格&库存
CJF6668 数据手册
Continental Device India Limited An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer IS/ISO 9002 Lic# QSC/L- 000019.2 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTOR CJF6668 TO-220FP Fully Isolated Plastic Package Complementary CJF6388 General Purpose Darlington Amplifier and Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. DESCRIPTION Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage Emitter Base Voltage RMS Isolation Voltage ( for 1sec,R.H. 6 in.lbs. (1) RMS Isolation Voltage : (a) 3500 VRMS with Package in Clip Mounting Position (b) 1500 VRMS with Package in Screw Mounting Position (for 1sec, R.H.
CJF6668
1. 物料型号:CJF6668,由Continental Device India Limited制造,这是一个PNP硅平面达林顿功率晶体管。

2. 器件简介:CJF6668是一个PNP硅平面达林顿功率晶体管,用于一般目的的达林顿放大器和开关应用。它采用TO-220FP全隔离塑料封装。

3. 引脚分配:引脚配置如下: - 1. 基极(Base) - 2. 集电极(Collector) - 3. 发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、发射极-基极电压(VEBO)、RMS隔离电压(VIsOL)、集电极电流(Ic)、基极电流(Ib)等。 - 热阻包括从结到外壳(RθJC)和从结到环境(RθJA)的热阻。

5. 功能详解:CJF6668具有高电流增益(hFE)和低饱和电压(VCE(sat)),适用于需要高电流驱动和低功耗的应用。它还具有较小的信号电流增益(hfe)和输出电容(Cob),适合高频应用。

6. 应用信息:适用于一般目的的达林顿放大器和开关应用,特别是在需要高电流增益和低功耗的场合。

7. 封装信息:TO-220FP全隔离塑料封装,具体尺寸如下: - A: 9.96-10.36mm - B: 2.60-3.00mm - C: 4.50-4.90mm - D: 3.10-3.30mm - E: 7.90-8.20mm - F: 16.87-17.27mm - G: 0.45-0.50mm - H: 2.56-2.96mm - J: 2.34-2.74mm - K: 3.08mm - L: 30.05mm - M: 0.80mm
CJF6668 价格&库存

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