物料型号：
- EDI8M32128C20GB-20
- EDI8M32128C25GB
- EDI8M32128C35GB
- EDI8M32128C45GB
- EDI8M32128C55GB
- EDI8M32128C20GC 20
- EDI8M32128C25GC
- EDI8M32128C35GC
- EDI8M32128C45GC
- EDI8M32128C55GC
器件简介：
EDI8M32128C是一款高速、高密度的四兆位静态RAM模块，组织为128Kx32位。模块包含四个128Kx8位的SRAM芯片，封装在一个陶瓷引脚网格阵列包中。
引脚分配：
- 地址输入：A0-A16
- 芯片使能：E0-E3
- 写使能：W0-W3
- 输出使能：c
- 公共数据输入/输出：DQ0-DQ31
- 电源：VCC（+5V±10%）
- 地：VSS
- 无连接：NC
参数特性：
- 快速访问时间：20, 22, 35, 45, 和 55ns
- 独立的字节选择
- 提供四个芯片使能和写使能，可以独立启用每个字节
- 输出使能功能
- TTL兼容输入和输出
- 完全静态，无需时钟信号
- 66引脚引脚网格阵列包，1.1英寸规格，编号168
- 多个地线引脚以实现最大的抗干扰能力
- 单+5V（+10%）电源供应
- 66d封装，可以在一平方英寸的空间内放置4兆位的存储器
功能详解：
EDI8M32128C完全异步电路，无需刷新或更新操作，提供相等的访问和周期时间，便于使用。
应用信息：
该设备适用于工业和商业应用。
封装信息：
66引脚陶瓷引脚网格阵列包（PGA）。
