1. 物料型号：
- 型号：EDI8M8257C
- 类型：256Kx8 Static RAM CMOS, Module
2. 器件简介：
- EDI8M8257C是一个基于两个129Kx8 Static RAMs的2048K位CMOS静态RAM，这些RAMs安装在一个多层陶瓷基板上。
- 功能上等同于单片兆字节静态RAM，通过选择更高的地址/A1来选择128Kx8静态RAMs中的一个。
- 该产品还有低功耗和数据保持版本（EDI8M8257LP）。
3. 引脚分配：
- 32引脚DIP，遵循JEDEC标准，确保与单片兼容。
- 引脚包括地址输入（A0-A17）、芯片使能、写使能、数据输入/输出（DQ0-DQ7）和电源（VSS和+5V+10%）。
4. 参数特性：
- 访问时间：商业级25ns至150ns，军用级35ns至150ns。
- 数据保持功能（EDI8M8257LP）。
- TTL兼容的输入和输出。
- 完全静态，无需时钟。
- 32引脚DIP，JEDEC批准的引脚排列。
- 陶瓷LCCs安装在1.6mm厚的陶瓷基板上，编号155。
- 塑料SOJs安装在陶瓷基板上，编号65。
- 塑料SOICs安装在陶瓷基板上，编号97。
- 单5V（1+10%）电源操作。
- 适用于商业和军用。
5. 功能详解：
- 256Kx8位CMOS静态随机存取存储器。
- 供电电压：VCC 4.5V至5.5V，VSS 0V。
- 输入高电平电压：VIH 2.2V至6.0V。
- 输入低电平电压：VIL -0.3V至0.8V。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、大容量静态RAM的场合，特别是在军事和工业领域。
7. 封装信息：
- 封装类型包括陶瓷LCC、塑料SOJ和塑料SOIC。
- 封装编号分别为155、65和97。
