物料型号：
- 型号为EDI8M8257C，是一款256Kx8位的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。
器件简介：
- EDI8M8257C基于两个129Kx8位的SRAM构成，安装在多层陶瓷基板上。通过选择更高的地址/A1来实现与单片兆位静态RAM的功能等效。该产品还提供了低功耗和数据保持版本(EDI8M8257LP)。
引脚分配：
- 32引脚DIP引脚配置遵循JEDEC标准，确保与单片兼容。引脚包括地址输入、芯片使能、写入使能、数据输入/输出使能和电源地等。
参数特性：
- 访问时间：商用25ns至150ns，军用35ns至150ns。
- 数据保持功能(EDI8M8257LP)。
- TTL兼容的输入输出。
- 完全静态，无需时钟信号。
- 32引脚DIP，JEDEC批准的引脚配置。
- 陶瓷LCCs安装在陶瓷1.6基板上，编号155。
- 单5V(+10%)电源操作。
- 商用和军用版本。
功能详解：
- 该芯片无需任何时钟或刷新即可操作，所有输入和输出都是TTL兼容的。
应用信息：
- 适用于需要高速、大容量静态存储的场合，如高速数据处理和缓存。
封装信息：
- 提供了多种速度等级和封装风格的产品，包括标准功耗和低功耗数据保持版本。封装风格包括0.6 DIP和0.6塑料SOJ、SOIC等。
