### 物料型号
- 型号：EDI8M8257C
### 器件简介
- EDI8M8257C是一款基于两个129Kx8静态RAM的2048K位CMOS静态RAM，这些RAM被安装在一个多层陶瓷基板上。
- 该产品在功能上等同于单片兆字节静态RAM，通过使用一个更高的地址线（A1）来选择128Kx8静态RAM中的一个。
- 该产品还提供了低功耗和数据保持版本（EDI8M8257LP）。
### 引脚分配
- 地址输入：AO-A17
- 芯片使能：E
- 写使能：WG
- 输出使能：（未明确列出，但通常为OE）
- 数据输入/输出：DQ0-DQ7
- 电源：VCC（+5V±10%）
- 地：VSS
- 无连接：NC
### 参数特性
- 访问时间：商业级25ns至150ns，军用级35ns至150ns
- 数据保持功能（EDI8M8257LP）
- TTL兼容输入输出
- 完全静态，无需时钟
- 32引脚DIP，JEDEC批准的引脚排列
- 陶瓷LCCs安装在陶瓷1.6基板上，编号155
- 塑料SOJs安装在陶瓷基板上，编号65
- 塑料SOICs安装在陶瓷基板上，编号97
- 单5V（1+10%）供电操作
- 商业和军用级
### 功能详解
- 该芯片无需时钟或刷新即可操作，所有输入和输出都是TTL兼容的。
### 应用信息
- 适用于需要高速、大容量静态存储的应用，如高速数据处理和存储系统。
### 封装信息
- 商业级：提供25ns至150ns不同速度等级的32引脚DIP封装（编号65）和塑料SOJ（编号65）以及塑料SOIC（编号97）。
- 军用级：提供35ns至150ns不同速度等级的32引脚DIP封装（编号155）。
