1. 物料型号：
- 型号：EDI8M8257C
2. 器件简介：
- EDI8M8257C是一款2048K位CMOS静态RAM，基于两个129Kx8静态RAM构成，安装在多层陶瓷基板上。该产品功能上等同于单片兆字节静态RAM，通过选择更高的地址/A1来选择128Kx8静态RAM中的一个。该产品有低功耗和数据保持版本（EDI8M8257LP）。
3. 引脚分配：
- 32引脚DIP，遵循JEDEC标准，确保与单片兼容。
- 引脚包括地址输入（AO-A17）、芯片使能（E）、写使能（WG）、输出使能（）、数据输入输出（DQ0-DQ7）、电源（VCC）、地（VSS）和无连接（NC）。
4. 参数特性：
- 访问时间：商业级25ns至150ns，军用级35ns至150ns。
- 数据保持功能（EDI8M8257LP）。
- TTL兼容输入输出。
- 完全静态，无需时钟。
- 32引脚DIP，JEDEC批准的引脚排列。
- 陶瓷LCCs安装在陶瓷1.6基板上，编号155；塑料SOJs安装在陶瓷基板上，编号65；塑料SOICs安装在陶瓷基板上，编号97。
- 单5V（+10%）电源操作。
- 供电电压：VCC 4.5V至5.5V，VSS 0V。
- 输入高电平电压（VIH）2.2V至6.0V，输入低电平电压（VIL）-0.3V至0.8V。
5. 功能详解：
- 该芯片是一个256Kx8位CMOS静态随机访问存储器，具有商业和军用级别的操作温度范围，以及工业和汽车级别的存储温度范围。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、大容量静态RAM的场合，如计算机内存、高速缓存等。
7. 封装信息：
- 提供多种封装选项，包括陶瓷LCC、塑料SOJ和塑料SOIC。
