1. 物料型号：
- 标准功率型号包括EDI8M8257C25M6C、EDI8M8257C30M6C等，涵盖25ns至150ns不同速度等级。
- 低功耗型号包括EDI8M8257LP85P6C、EDI8M8257LP100P6C等，同样涵盖85ns至150ns的速度等级。
2. 器件简介：
- EDI8M8257C是一款基于两个129Kx8 SRAM的2048K位CMOS静态RAM，采用多层陶瓷基板。
- 功能上等同于单片兆比特静态RAM，通过选择更高的地址/A1来选择128Kx8静态RAM之一。
3. 引脚分配：
- 32引脚DIP封装，遵循JEDEC标准，确保与单片兼容。
4. 参数特性：
- 访问时间：商用25ns至150ns，军用35ns至150ns。
- 数据保持功能（EDI8M8257LP型号）。
- TTL兼容输入输出。
- 完全静态，无需时钟信号。
- 单5V（+10%）供电操作。
5. 功能详解：
- 无时钟或刷新操作，支持商用和军用温度范围。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、大容量静态存储的应用。
7. 封装信息：
- 陶瓷LCCS封装在1.6mm厚的陶瓷基板上，型号155。
- 塑料SOJ和SOIC封装在陶瓷基板上，型号分别为65和97。
