物料型号：
- 型号：EDI8M8512C/LP/P
器件简介：
- EDI8M8512C/LP/P是基于四个128Kx8静态RAM的4098K位MOS静态RAM，这些RAM安装在一个多层陶瓷基板上。
- 这是一个512Kx8位CMOS静态随机存取存储器。
引脚分配：
- 该模块具有32个引脚，遵循JEDEC标准，以确保与未来单片机的兼容性。
- 引脚包括地址输入（A0-A18）、芯片使能（E）、写使能（W）、输出使能（a）、数据输入/输出（DQ0-DQ7）以及供电（VCC）和地（VSS）。
参数特性：
- 访问时间：45至150纳秒
- TTL兼容输入和输出
- 单+5V（+10%）供电操作
- 低功耗与数据保持（L）
- 全静态操作，无需时钟或刷新
功能详解：
- 该模块通过板上解码器实现单片四兆位静态RAM的功能等效，解码器解释高阶地址（A17、A18）以选择128Kx8静态RAM之一。
- 所有输入和输出都与TTL兼容，并且完全异步操作，无需时钟或刷新。
应用信息：
- 适用于需要高速静态RAM的应用场合。
封装信息：
- 32引脚DIP、JEDEC批准的引脚陶瓷LCC、安装在陶瓷基板上的无铅塑料SOJ（编号129）、塑料SOIC安装在陶瓷基板上（编号115）。
