FD800R33KF2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. Current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Spitzenverlustleistung der Diode maximum power dissipation diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs-Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms Tj = 25°C Tj = -25°C TC = 80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES 3300 3300 800 1300 1600 V V A A A IC,nom. IC ICRM TC=25°C, Transistor Ptot 9,6 kW VGES +/- 20V V IF 800 A IFRM 1600 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 222.200 A2s Tj = 125°C PRQM 800 kW RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6.000 V RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2.600 V Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Gateladung gate charge Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,2 typ. 3,40 4,30 5,1 max. 4,25 5,00 6,0 V V V f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 100 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 5,4 - nF VGE = -15V ... + 15V, VCE = 1800V VCE = 3300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 3300V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C QG ICES - 15 0,1 40 - 8 100 400 µC mA mA nA IGES - prepared by: Jürgen Göttert approved by: Chr. Lübke; 20.07.99 date of publication : 08.06.99 revision: 2 1 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 1800V VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 1800V VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 1800V VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 1800V VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip IC = 800 A, VCC = 1800V, VGE = 15V RG = 1,8 Ω, CGE = 150 nF, Tvj = 125°C, LS = 40nH IC = 800 A, VCC = 1800V, VGE = 15V RG = 1,8 Ω, CGE = 150 nF, Tvj = 125°C, LS = 40nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V TVj≤125°C, VCC=2500V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt IGBT (Zweig / arm 1+2 parallel ) Diode (Zweig / arm 3) T = 25°C, IGBT (Zweig / arm 1+2 parallel ) T = 25°C, Diode (Zweig / arm 3) ISC LsCE 4000 12 25 0,19 0,34 A nH nH mΩ mΩ Eoff 1020 mWs Eon 1920 mWs tf 200 200 ns ns td,off 1550 1700 ns ns tr 250 270 ns ns td,on 370 350 ns ns min. typ. max. RCC’+EE’ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 3300V, Tvj = 25°C, Zweig / arm 3 VCE = 3300V, Tvj = 125°C, Zweig / arm 3 IF = 800 A, - diF/dt = 2500 A/µsec VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 800 A, - diF/dt = 2500 A/µsec VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 800 A, - diF/dt = 2500 A/µsec VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Erec 490 1000 mWs mWs Qr 500 900 µAs µAs IRM 650 700 A A IR VF min. - typ. 2,80 2,80 0,01 4 max. 3,50 3,50 1,6 20 V V mA mA 2 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC, Zweig / arm 1+2 Diode/Diode, DC, Zweig / arm 3 Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK RthJC - typ. 0,004 max. 0,013 0,026 0,026 K/W K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Material Modulgrundplatte material of module baseplate Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M8 G M1 AlSiC AlN 32,2 mm 19,1 mm > 400 5 Nm M2 2 8 .. 10 1500 Nm Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) VGE = 15V 1600 1400 T = 25°C 1200 1000 T = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 1600 1400 1200 1000 I C = f (VCE) Tvj = 125°C VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V IC [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] 4 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE) VCE = 20V 1600 1400 1200 1000 T = 25°C T = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 1600 1400 1200 1000 Tj = 25°C Tj = 125°C I F = f (VF) IF [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VF [V] 5 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) RG,on = 1,8 Ω, RG,off = 1,8 Ω , CGE = 150 nF, VCE = 1800V, Tj = 125°C 7000 Eon 6000 Eoff Erec 5000 E [mJ] 4000 3000 2000 1000 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 8000 7000 6000 5000 E [mJ] 4000 3000 2000 1000 0 0 2 4 6 8 10 Eon Eoff Erec E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG) IC = 800 A , CGE = 150 nF, VCE = 1800V , Tj = 125°C 12 14 16 18 20 22 24 RG [Ω ] 6 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 1800 1600 1400 1200 1000 IC [A] 800 600 400 200 0 0 500 1000 1500 2000 IC,Modul IC,Chip RG,off = 1,8 Ω , CGE = 150 nF Tvj= 125°C 2500 3000 3500 VCE [V] Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) 1800 1600 1400 1200 1000 IR [A] 800 600 400 200 0 0 500 1000 1500 2000 2500 T = 125°C vj 3000 3500 VR [V] 7 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 Z thJC = f (t) Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 ZthJC [K / W] 0,001 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 2,38 0,0068 4,76 0,0068 2 6,49 0,0642 12,98 0,0642 3 1,93 0,3209 3,86 0,3209 4 2,20 2,0212 4,40 2,0212 8 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 800 R 33 KF2 Datenblatt data sheet Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 9 (9) Datenblatt FD 800 R 33 KF21 20.07.99