FZ800R12KS4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES 1200 V IC,nom. IC ICRM 800 1200 1600 A A A TC=25°C, Transistor Ptot 6,9 kW VGES +/- 20V V IF 800 A IFRM 1600 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 185.000 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2.500 V Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Gateladung gate charge Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 32 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 3,00 3,60 5,5 max. 6,5 V V V f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 52 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - t.b.d. - nF VGE = -15V ... + 15V, VCE = 600V VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C QG ICES - 8,4 t.b.d. t.b.d. - 400 µC µA mA nA IGES - prepared by: R. Jörke approved by: Jens Thurau date of publication : 2000-06-14 revision: 1 1 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 600V VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 600V VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 600V VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 800 A, VCC = 600V VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω , Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip IC = 800 A, VCC = 600V, VGE = 15V RG = 1,3 Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 800 A, VCC = 600V, VGE = 15V RG = 1,3 Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V TVj≤125°C, VCC= 900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 6000 12 A nH Eoff 64 mWs Eon 76 mWs tf 60 70 ns ns td,off 530 590 ns ns tr 90 100 ns ns td,on 100 125 ns ns min. typ. max. RCC’+EE’ - t.b.d. - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µsec VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µsec VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µsec VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Erec 32 76 mWs mWs Qr 60 160 µAs µAs IRM 540 900 A A VF min. - typ. 2,00 1,70 max. V V 2 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK RthJC - typ. 0,008 max. 0,018 0,027 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Material Modulgrundplatte material of module baseplate Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M8 G M1 4,25 Cu AlN 32,2 mm 19,1 mm > 400 5,75 Nm M2 1,7 8 1000 2,3 10,00 Nm Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) VGE = 15V 1600 1400 T = 25°C 1200 1000 T = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 1600 1400 VGE = 8V I C = f (VCE) Tvj = 125°C 1200 1000 VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V IC [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] 4 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE) VCE = 20V 1600 1400 1200 1000 T = 25°C T = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 1600 1400 1200 1000 Tj = 25°C Tj = 125°C I F = f (VF) IF [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VF [V] 5 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) RG,on = 1,3 Ω, RG,off = 1,3 Ω , VCE = 600V, Tj = 125°C 250,0 Eon Eoff 200,0 Erec E [mJ] 150,0 100,0 50,0 0,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 450 400 350 300 E [mJ] 250 200 150 100 50 0 0 1 2 3 Eon Eoff Erec E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG) IC = 800 A , VCE = 600V , Tj = 125°C 4 5 6 7 8 RG [Ω ] 6 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 1800 RG,off = 1,3 Ω , Tvj= 125°C 1600 IC [A] 1400 1200 1000 800 IC,Modul IC,Chip 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 Z thJC = f (t) Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 ZthJC [K / W] 0,001 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 3,85 0,0064 5,78 0,0064 2 5,68 0,0493 8,52 0,0493 3 6,15 0,0916 9,22 0,0916 4 2,32 1,5237 3,48 1,5237 8 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 800 R12 KS4 Vorläufige Daten Preliminary data Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 9 (9) FZ800R12KS4, preliminary.xls 15.06.00