GM72V661641DLI

### 物料型号 - 型号：GM72V661641DI/DLI

### 器件简介 - GM72V661641DI/DLI是一款同步动态随机存取存储器，包含67,108,864个存储单元和逻辑，包括输入和输出电路，它们通过参考外部提供的时钟的正边沿同步运行。 - 提供四个1,048,576字×16位的存储库，以实现高达125MHz的时钟频率下的高带宽。

### 引脚分配 - CLK：时钟输入 - CKE：时钟使能 - CS：芯片选择 - RAS：行地址选通脉冲 - CAS：列地址选通脉冲 - WE：写使能 - A0~A9, A11：地址输入 - A10/AP：地址输入或自动预充电 - BA0/A13：存储库选择 - DQ0-DQ15：数据输入/数据输出 - DQMU/DQML：数据输入/输出掩码 - VCCQ/VSSQ：为DQ提供电源/地 - VCC/VSS：为内部电路提供电源/地 - NC：无连接

### 参数特性 - 兼容PC100、PC66 - 3.3V单电源供电 - LVTTL接口 - 最大时钟频率100/125 MHz - 每64ms有4,096个刷新周期 - 两种刷新操作：自动刷新/自刷新 - 可编程突发访问能力：顺序/交错、长度1/2/4/8/FP - 可编程CAS延迟：2/3 - 4个存储库可以独立或同时操作 - 突发读/写或突发读/单写操作能力 - 通过DQML和DQMU输入实现字节宽的输入和输出控制 - 连续读或写命令间隔为一个时钟周期 - 同步掉电和时钟暂停能力，进入和退出时钟延迟均为一个时钟周期

### 功能详解 - 该SDRAM支持多种操作命令，包括读、写、刷新等，具体操作取决于RAS、CAS和WE引脚的电压水平组合。 - 支持突发访问和自动预充电模式，允许高效的数据读写操作。

### 应用信息 - 适用于需要高速数据访问和大容量存储的应用，如计算机内存、图形处理、网络设备等。

### 封装信息 - JEDEC标准54Pin BLP封装