1. 物料型号：
- HM6116
2. 器件简介：
- HM6116是一款低功耗CMOS静态RAM，由2048×8位组成。使用MHS高性能CMOS技术制造，商业温度范围内的访问时间为120纳秒，最大功耗仅为385毫瓦。
3. 引脚分配：
- 24引脚塑料DIL封装和24引脚陶瓷DIL封装。
- 引脚包括地址输入A0-A10、芯片选择CS、输出使能OE、写入使能W、电源VCC和地GND等。
4. 参数特性：
- 访问时间：商业级、工业级、军用级均为120纳秒。
- 功耗：I/O活动时240毫瓦（典型值），待机时2.0瓦（典型值）。
- 工作温度范围：-55至+125℃。
- 单5伏供电，无需外部时钟或定时信号。
- TTL兼容输入输出。
5. 功能详解：
- HM6116不需要外部时钟或定时信号，具有“门控输入”，当芯片选择CS为中间电平时，电路保持待机模式。
- 通过活动低芯片选择（CS）、活动低输出使能（OE）和三态驱动器实现轻松扩展内存。
- HM6116是TTL兼容的，并且操作单一5V供电，简化了系统设计。
- 遵循MIL STD 883C和/或ESA/SCC 9000的测试方法100%处理，非常适合要求高性能和高可靠性的军事/航天应用。
6. 应用信息：
- 适用于需要高性能和高可靠性的军事/航天应用。
7. 封装信息：
- 提供塑料600 mils、24引脚DIL封装和陶瓷600 mils、24引脚DIL封装，以及LCC、32引脚封装。
