物料型号： HM6116
器件简介：
HM6116是一款低功耗CMOS静态RAM，组织为2048 x 8位。它使用MHS高性能CMOS技术制造，商业温度范围内的访问时间为120纳秒，最大功耗仅为385毫瓦。该器件完全兼容TTL，操作电压为单5伏供电，简化了系统设计。HM6116适用于军事/航天应用，要求高性能和高可靠性，100%按照MIL STD 883C和/或ESA/SCC 9000的测试方法进行处理。
引脚分配：
- 塑封600 mils，24脚DIL
- 陶瓷600 mils，24脚DIL
- 引脚包括地址输入A0-A10、芯片选择CS、输出使能OE、写入使能W、电源VCC和地GND等。
参数特性：
- 访问时间：商业/工业/军用均为120纳秒
- I/O活动功耗：240毫瓦（典型值）
- 待机功耗：2.0瓦（典型值）
- 宽温度范围：-55至+125℃
功能详解：
HM6116具有完全的台式计算机特性，无需外部时钟或定时信号。特殊的输入缓冲“门控输入”允许电路在CS达到中间电平时保持待机模式。通过活动低芯片选择（CS）、活动低输出使能（OE）和三态驱动器，提供了简单的内存扩展。
应用信息：
适用于需要高性能和高可靠性的军事/航天应用，也适用于商业、工业和军用领域。
封装信息：
- 塑封和陶瓷DIL 24脚封装
- LCC 32脚封装
