1. 物料型号：
- HM6116
2. 器件简介：
- HM6116是一款低功耗CMOS静态RAM，采用MHS高性能CMOS技术制造，具有2048x8位的组织结构。商业温度范围内的访问时间为120纳秒，最大功耗仅为385毫瓦。该器件完全兼容TTL，操作电压为单5伏供电，简化了系统设计。HM6116适用于军事/航天应用，要求高性能和高可靠性。
3. 引脚分配：
- HM6116有24引脚塑料DIL和陶瓷DIL封装，以及32引脚的LCC封装。引脚包括地址输入A0-A10、芯片选择CS、输出使能OE、写入使能W、电源VCC和地GND等。
4. 参数特性：
- 访问时间：商业/工业/军事均为120纳秒。
- 活动功耗：240毫瓦（典型值），待机功耗：2.0瓦（典型值）。
- 工作温度范围：-55至+125摄氏度。
5. 功能详解：
- HM6116不需要外部时钟或定时信号，具有“门控输入”，当CS处于中间电平时，电路保持待机模式。通过活动低芯片选择（CS）、活动低输出使能（OE）和三态驱动器实现轻松扩展内存。
6. 应用信息：
- HM6116适用于需要高性能和高可靠性的军事/航天应用，也适用于商业、工业等其他领域。
7. 封装信息：
- 提供24引脚塑料DIL和陶瓷DIL封装，以及32引脚的LCC封装。
