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HS2330C

HS2330C

  • 厂商:

    ETC1

  • 封装:

  • 描述:

    HS2330C - HS2330C - List of Unclassifed Manufacturers

  • 数据手册
  • 价格&库存
HS2330C 数据手册
苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com HS2330C 说明书 HS2330C 是我公司开发的一款 8 位 MCU,具有高速度、低工作电压、低功耗、较大的输 入输出直接驱动能力、体积小等特点,全面兼容 PIC16C54,且可通过掩膜在外部晶体振荡器 频率不变的情况下使内部工作频率提高 4 倍,性价比高,是低档 8 位 MCU 家族中的精品. ★性能特点简介: A. 高性能类-RISC CPU ■ 一共只有 33 条指令 ■ 除了程序分支指令外其他所有的指令都是单周期指令 ■ 工作速度:DC~20MHz 的时钟输入; DC~200ns 的指令周期 ■ 12 位字长的指令 ■ 8 位字长的数据 ■ 8 个硬件专用寄存器 ■ 两级硬件堆栈 ■ 对数据和指令都有直接、间接和相对寻址方式 B. 外围部件特性 ■ 带有 8 位可编程预定标器的 8 位实时时钟/计数器(TMR0) ■ 有上电复位功能 POR ■ 有芯片复位定时器 ■ 带有片内 RC 振荡器的监视定时器 WDT,以保证可靠工作 ■ 有省电的休眠方式 ■ 可对以下 4 种不同振荡器方式进行选择:RC 型、XT 型、HS 型和 LP 型 C. CMOS 工艺技术 ■ 采用低功耗高速 CMOS ROM 技术 ■ 全静态设计 ■ 宽范围的工作电压:2.1V~6.25V ■低功耗:在 4MHz 时钟下,电源电压为 5V 时,典型的电流值小于 2mA ★引脚说明 HS2330C 引脚说明表 第1页共7页 Ver. 040831 苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com 引脚名 RA0 RA1 RA2 RA3 RB0 RB1 RB2 RB3 RB4 RB5 RB6 RB7 T0CKI 引脚 号 PDIP SSOP 17 18 1 2 6 7 8 9 10 11 12 13 3 19 20 1 2 7 8 9 10 11 12 13 14 3 I/O/P 类型 I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I/O I 缓冲器 类型 TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL ST 说明 这是一个可位控的 4 位双向 I/O 口 A,即寄存器 F5 这是一个可位控的 8 位双向 I/O 口 B, 即寄存器 F6 TMR0 定时器/计数器的输入 脚 , 如不用 , 为减少功耗应接 地或接 VDD 总清除(复位)输入脚。 MCLR 为低电平时对芯片复 位 振荡器晶体/外部时钟源输入 线 振荡器晶体输出线;在晶体 振荡器方式接晶体或谐振 器,在 RC 方式输出 OSC1 频率的 1/4 信号 CLKOUT, 并表示指令周期率 电 源电压,一般为 5V (在 2.2~6.25V 范围可选) 地线 MCLR 4 4 I ST OSC1/CLKIN 16 18 I ─ OSC2/CLKOUT 15 17 O ─ VDD VSS 14 5 15,16 5,6 P P ─ ─ ★ 存储器组织结构 ■程序存储器的组织结构 片内程序存储器(ROM)采用的是“页”结构,每页为 512 个字(字长为 12 位) ,它 可直接寻址的程序存储空间为一页,即 512 个字,如需要更大的程序存储器时,可以通过选 择 1~4 页面来寻址。页面地址由状态寄存器 F3 的 D6 和 D5(PA1 和 PA0)决定。指令执行 的顺序由自动增量的程序计数器 PC 控制。程序控制操作支持直接、间接和相对寻址方式, 当需要非顺序执行跳转时,可以通过位测试和跳转指令、子程序调用指令、转移指令或把通 过计算获得的地址送入程序计数器 PC 实现。HS2330C 片内有一页程序存储器,大小为 512 第2页共7页 Ver. 040831 苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com 个字。 另外片内有 2 级硬件堆栈, 可以实现 2 级子程序嵌套。 使用中需要注意不能超过 2 级嵌 套调用,否则就要出错。 系统复位后, 程序计数器 PC 指向程序存储器最后一个单元, 1FFh,状态寄存器 STATUS 即 的 PA1、PA0 指向第零页,所以通常需要在程序存储器的最后一个单元安排一条转移指令。 ■数据存储器的组织结构 寄存器组可以分成两大类:通用寄存器和专用寄存器。 通用寄存器用于指令执行中存放数据或控制信息; 专用寄存器包括定时器寄存器、 程序 计数器 PC、状态寄存器 STATUS、I/O 寄存器和组选择寄存器 FSR 等。 HS2330C 专用寄存器一览表 地址 00h 01h 02h 03h 04h 05h 06h 寄存器名 INDF TMRO PCL STATUS FSR PORTA PORTB D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 用 FSR 的内容寻址数据存储器 8 位实时时钟/计数器 程序计数器 PC 的低 8 位 PA2 PA2 PA0 TO PD Z 间接数据存储器地址指针 ———— RA3 RA2 RA1 RA0 RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 DC C 上电复位值 ---- ---0000 0000 1111 1111 0001 1000 1000 0000 ---- xxxx xxxx xxxx MCLR & WDT 复位值 ---- ---uuuu uuuu 1111 1111 000? ?uuu uuuu uuuu ---- uuuu uuuu uuuu 其中:x=不确定; u=未改变; “-”=未用,读出该位时为“0” 。 注:●程序计数器 PC 的高位字节不能直接进行访问,PC 地址的高位可以通过写入状态寄存器 STATUS 中的 PA1 和 PA0 来选择页面地址。 ●STATUS 中的 PA2(D7)未用,不受影响。 ■ 状态寄存器 STATUS(F3) PA2 PA1 PA0 TO PD Z DC C D7 6 5 4 3 2 1 D0 ◆C(D0)━进位/借位标志位 对加法指令 ADDWF 和 ADDLW,加法运算结果的最高有效位产生进位时,该位被置 1,无 进位时清零。但对减法指令 SUBWF,减法运算结果产生借位时,该位被清零,而无借位时 被置 1。对循环移位指令 RRF 和 RLF,该位将与源寄存器的数据一起循环移位。 ◆ DC(D1)━半进位/借位标志位 对加法指令 ADDWF 和 ADDLW,运算结果中的低 4 位向高 4 位有进位,该位被置 1,无进 位清零。对减法指令的借位极性则刚好相反。 ◆ Z(D2)━全零标志位 当算术运算或逻辑运算的结果为 0 时,该位被置 1,否则为 0。 ◆ PD(D3)━低功耗标志位 芯片上电后或执行 CLRWDT 指令后,该位被置 1;当执行 SLEEP 指令后,该位被清零。 ◆ TO(D4)━定时时间到标志位 芯片上电后或执行 CLRWDT 和 SLEEP 指令后,该位被置 1;当监视定时器 WDT 定时时间到时, 第3页共7页 Ver. 040831 苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com 该位被清零。 ◆ PA1 PA0(D6 D5)━程序存储器页面地址预选位 对 HS2330C,片内只有一页程序存储器,不需要页面地址预选,故这两位都可以作为通用读/ 写位。 ◆ PA2(D7)━保留位未用 ■选择寄存器 OPTION 选择寄存器 OPTION 不属数据存储器,是一个用来设置 TMR0/WDT 预分频值、外部 INT 中断和 TMR0 存放各种控制位的只写寄存器。 ━ ━ T0CS T0SE PSA PS2 2 PS1 1 PS0 D0 D7 6 5 4 3 ◆PS2、PS1、PS0(D2、D1、D0)━预分频位 预分频位定义 PS2 PS1 PS0 TMR0 分频率 WDT 分频率 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1:2 1:4 1:8 1:16 1:1 1:2 1:4 1:8 1 1 1 1 PS2 PS1 PS0 0 0 1 1 0 1 0 1 TMR0 分频率 WDT 分频率 1:32 1:64 1:128 1:256 1:16 1:32 1:64 1:128 ◆ PSA(D3)━预分频器分配位 PSA=0 预分频器指定分配为 TMR0 用 PSA=1 预分频器指定分配为 WDT 用 ◆T0SE(D4)━TMR0 源触发沿选择位 T0SE=0 当 T0CKI 引脚上出现上升沿时计数器加 1 T0SE=1 当 T0CKI 引脚上出现下降沿时计数器加 1 ◆T0CS(D5)━TMR0 时钟信号源选择位 T0CS=0 用内部指令周期时钟(CLKOUT) T0CS=1 用 T0CKI 引脚上外部输入的脉冲 ◆ D7、D6 位━保留未用 这两位未用,读出时为“0” ■间接寻址 INDF(00h)和 FSR(04h)寄存器 INDF 间址寄存器不是一个物理寄存器,它是用来协同“寄存器选择”寄存器 FSR 实现 间接寻址操作,实际有效地址是 FSR 的内容。FSR 的低 5 位用来存储选择 32 个数据存储单 元的地址 00h~1Fh。当不用间接寻址方式时,FSR 寄存器可以作为 5 位的通用寄存器使用。 FSR 的高两位 D6、D5 未用,读出时为‘1’ 。 ■程序计数器 PC 芯片复位后,程序计数器 PC 的所有位都被置成“1” 。在指令执行期间,除了以下几种 情况指令执行的结果会改变 PC 本身的地址值外,其他情况都随着指令的执行会自动加 1。 ①“GOTO”无条件转移指令可以直接改变 PC 的低 9 位地址(D8~D0)值。当程序计 数器的计数值大于 512 个字时,PC 的高 2 位 D10 和 D9 将用状态寄存器 STATUS 中的页面选 择位 PA1 和 PA0(D6 和 D5)来加载作为高位地址。由此“GOTO”可以跳转到任意页的任意 第4页共7页 Ver. 040831 苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com 单元。 ②“CALL”调用指令可直接把低 8 位地址装入 PC,同时对第 9 位清零。PC 的值加 1 后 指向返回的断点地址,再把断点地址压栈保护。当程序计数器大于 512 个字时,PC 的高 2 位 D10 和 D9 将用状态寄存器 STATUS 中的页面选择位 PA1 和 PA0(D6 和 D5)来加载作为高 位地址。 ③“RETLW”返回指令的功能是把堆栈栈顶的数据(即断口地址)送入程序计数器 PC, 以确保正确返回调用的主程序。 ④如果在任何一条指令中 PC 被作为目标操作数(如 MOVWF PC) ,那么计算的 8 位结果 将被送入 PC 的低 8 位, 的第 9 位将被清零。 的高 2 位 D10 和 D9 将用状态寄存器 STATUS PC PC 的页面选择位 PA1 和 PA0 来加载作为高位地址。 ■配置寄存器 CONFIG ━ …………………━ ━ WDTE FOSC1 FOSC0 0 11 ……………………………4 3 2 1 FOSC1 和 FOSC0 是振荡器选择位 FOSC1 FOSC0 0 0 LP 型(低功耗振荡器) 0 1 XT 型(晶体振荡器) 1 0 HS 型(高速石英晶体振荡器) 1 1 RC 型(阻容振荡器) WDTE 是监视定时器允许位: WDTE = 1 允许 WDT 工作 WDTE=0 关闭 WDT 工作 ■ 晶体振荡器/陶瓷谐振器 陶瓷谐振器所需电容器的值 谐振器所需电容器的值 第5页共7页 Ver. 040831 苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com 类型 XT XT HS HS HS 频率 455kHz 2MHz 4MHz 8MHz 16MHz 电容器值(C1=C2)/ Pf 68~100 15~68 15~68 10~68 10~22 类型 LP XT HS 频率 32kHz 100kHz 200kHz 100kHz 200kHz 455kHz 1MHz 2MHz 4MHz 4MHz 8MHz 20MHz C1/pF 15 15~30 15~30 15~30 15~30 15~30 15~30 15~30 15~47 15~30 15~30 15~30 C2/pF 15 30~47 15~82 200~300 100~200 15~100 15~30 15~30 15~47 15~82 15~82 15~82 对 32kHz 晶体振荡器,当 VDD>4.5V 时,厂家推荐值是 C1=C2=30pF。 ■复位电路 HS2330C 芯片有几种不同的复位方式: ① 上电复位 POR ② 在正常工作情况下,置 MCLR 引脚为低电平复位 ③ 在休眠期间,置 MCLR 引脚为低电平复位 ④ 监视定时器 WDT 超时复位 用不同复位方式复位后 TO/PD 的状态表 TO 0 0 1 1 u 地址 00h 01h 02h 03h 04h 05h 06h — 寄存器名 INDF TMRO PCL STATUS FSR PORTA PORTB W PD 0 1 0 1 u 复 位原因 WDT 唤醒休眠状态下的 CPU 在非休眠状态下 WDT 超时复位 MCLR 唤醒休眠状态下的 CPU 上电复位 MCLR 输入保持低电平状态 上电复位值 ---- ---0000 0000 1111 1111 0001 1000 1000 0000 ---- xxxx xxxx xxxx xxxx xxxx DC MCLR & WDT 复 位值 ---- ---uuuu uuuu 1111 1111 000? ?uuu uuuu uuuu ---- uuuu uuuu uuuu uuuu uuuu Ver. 040831 所有寄存器复位状态条件表 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 用 FSR 的内容寻址数据存储器 8 位实时时钟/计数器 程序计数器 PC 的低 8 位 PA2 PA2 PA0 TO PD Z C 间接数据存储器地址指针 — — — — RA3 RA2 RA1 RA0 RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 8 位工作寄存器 第6页共7页 苏州华芯微电子有限公司 HuaXin Micro-electronics Co., Ltd phone: 0512-68256888 email:h-sun@h-sun.com url: www.china-chip.com — — TRIS OPTION I/O 寄存器的方向寄存器 8 位选择寄存器 1111 1111 --11 1111 1111 1111 --11 1111 ■监视定时器 WDT WDT(看门狗)定时计数的脉冲序列由片内独立的 RC 振荡器产生,所以它不需外接任何 元器件就可以工作。 在不加分频器的情况下,WDT 的基本定时时间是 18ms,这个周期还受温度,VDD 和不同 元器件的工艺参数影响。如果需要更长的周期,可以通软件控制 OPTION 寄存器把预分频配 置给 WDT,这个分频器的最大分频比可达到 1:128,定时周期达到 2.3s. ■预分频器 片内的预分频器实际上是一个 8 位的计数器,用于定时器/计数器 TMR0 时,是作为一个预 分频器;用于监视定时器 WDT 时,是作为一个后分频器.然而片内只有一个物理分频计数器, 只能用于两个部件中的一个,不能同时使用,它的选择是通过选择寄存器 OPTION 中的 PSA 来 进行的,预分频器的倍率则由 PS2~PS0 位控制. ■电气极限特性 ▲ 环境温度: -55℃~+125℃ ▲ 储藏温度: -65℃~+150℃ ▲ 相对于 VSS 在 VDD 引脚上电压: 0 V~+7.5V ▲ 相对于 VSS 在其他引脚上电压: 0 V~+14V ▲ 相对于 VSS 在 MCLR 引脚上电压: -0.6V~VDD+0.6V ▲ 整个芯片的功耗: 800mW ▲ VSS 引脚最大输出电流: 150mA ▲ VDD 引脚最大电流: 50mA ▲ TOCKI 引脚最大输入电流: ±500µA ▲ 任一个 I/O 引脚最大输出漏电流: 25mA ▲ 任一个 I/O 引脚最大输出灌电流: 20 mA ▲ 一个 I/O 引脚最大输出漏电流: 40mA ▲ 一个 I/O 引脚最大输出灌电流: 50mA ▲ 最大静态电流 12uA(Vdd=3.0V) ■HS2330C 和 PIC16C54 的不同之处 HS2330C 的某些专用寄存器的上电复位值与 PIC16C57 不同,具体如下表: 上电复位值 地址 01h 03h 04h 名称 TMRO STATUS FSR HS2330C 0000 0000 0001 1000 1000 0000 PIC16C54 xxxx xxxx 0001 1xxx 1xxx xxxx 第7页共7页 Ver. 040831
HS2330C 价格&库存

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