物料型号：
- LH51256
器件简介：
- LH51256是一款256K位（32K x 8）静态RAM，采用硅门CMOS工艺技术制造，组织为32,768x8位。
引脚分配：
- 地址输入：A0-A14
- 芯片使能输入：CE
- 写使能输入：WE
- 输出使能输入：OE
- 数据输入/输出：VO1-VO8
- 电源供电：Vcc
- 地：GND
参数特性：
- 组织：32,768x8位
- 访问时间：100/120纳秒（最大值）
- 功耗：工作时248毫瓦（最大值），待机时16.5皮瓦（最大值）
- 完全静态操作
- TTL兼容I/O
- 三态输出
- 单+5V电源供电
- 封装：28脚DIP，28脚SOP
功能详解：
- 提供了真值表，描述了不同输入条件下的模式和输出状态。
- 绝对最大额定值，如供电电压-0.3到+7.0伏特，工作温度-40到+85摄氏度。
- 推荐工作条件和直流特性，如供电电压4.5到5.5伏特，输入电压高电平2.2伏特等。
- 交流特性，包括读周期时间和写周期时间等参数。
应用信息：
- 该芯片适用于需要静态RAM存储解决方案的应用场合，由于其低功耗特性，特别适合便携式和电池供电设备。
封装信息：
- 封装类型：28-pin 600-mil DIP和28-pin 450-mil SOP。
