MPS2222A

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A H 2222A █ 主要用途 作音频功率放大，激励级放大、开关应用 █ 外形图及引脚排列 TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C — —集电 极耗散功 率 ………… … ………… … … … 625 m W V CBO —— 集 电极—基极 电压……… …………… ………… 75V V CE O —— 集 电极— 发射 极电压 …… ……… …… ……… … 40 V V E B O ——发 射极—基极电压……………………………… 6V I C — — 集 电 极电流 …… ……… …… ……… …… ……… 600 mA 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE VCE(sat） fT Cob 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 75 40 6 10 10 400 0.3 8 V V V nA nA V MHz pF 100 300 IC=10μA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=10μA，IC=0 VCB=60V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=10V, IC=150mA IC=150mA, IB=15mA VCE=20V, IC=20mA VCB=10V,IE=0 f=1MHz