物料型号：82S09/82S19
器件简介：
- 576位双极性存储器（64x9）
- 字节存储数据，包括奇偶校验。若不监控奇偶校验，第九位可用作每个存储字的标签或状态指示器。
- 适用于便笺、堆栈、缓冲存储器等内部存储应用，成本和性能要求优先考虑数据路径宽度。
- 82S09/19具有开路集电极输出、芯片使能输入，以及非常低电流的PNP输入结构，增强存储扩展性。
引脚分配：
- 引脚配置允许数据字节存储，包括奇偶校验位。
- 82S09/19在写操作时输出为“1”。
参数特性：
- 地址访问时间：N82S09最大45ns，S82S09最大80ns；N82S19最大35ns，S82S19最大60ns。
- 写周期时间：N82S09/19最大45ns，S82S09最大80ns，S82S19最大70ns。
- 功耗：典型1.3mW/位。
功能详解：
- 具有开路集电极输出，芯片使能输入，以及非常低电流的PNP输入结构。
- 支持读和写操作，具体操作模式见真值表。
应用信息：
- 缓冲存储器、控制寄存器、FIFO存储器、堆栈、便笺等。
封装信息：
- 商用和军用温度范围均有提供，商用（0°C至+75°C）指定N82S09/19, F或N，军用（-55°C至+125°C）指定S82S09/19, R或F。
