1. 物料型号：
- NN5118160A/NN5118160B系列
2. 器件简介：
- NN5118160A/NN5118160B系列是一款高性能CMOS动态随机存取存储器，组织为1,048,576字×16位。该系列采用先进的CMOS技术制造，并采用创新设计技术，实现了高速、极低功耗和在组件及系统级别的广泛工作范围。
3. 引脚分配：
- 42引脚SOJ(P42SJ-2B-L)和50/44引脚TSOP TYPE I(P50/44TP-3B-L)封装。
- 引脚包括地址输入(A0-A9)、行地址选通(RAS)、列地址选通上字节控制(UCAS)、列地址选通下字节控制(LCAS)、输出使能(OE)、数据输入/输出(VO1~VO16)、写入使能(WE)、供电(Vcc)和地(Vss)等。
4. 参数特性：
- 单5V供电。
- 性能范围包括NN5118160A和NN5118160B两种型号，具体参数如下：
- 最大RAS访问时间(LRAC)、最大CAS访问时间(tcAc)、最大列地址访问时间(tAA)、最大读/写周期时间(tac)等。
5. 功能详解：
- 快速页面模式操作。
- 分离的CAS(UCAS, LCAS)用于字节选择。
- 字节读/写模式操作。
- 低功耗操作。
- 低待机电流(CMOS水平输入)。
- 1024次刷新周期。
- 卖方刷新模式(L版本)。
- 所有输入/输出和时钟完全与TTL和CMOS兼容。
6. 应用信息：
- 该存储器适用于需要高速、低功耗和宽工作范围的系统。
7. 封装信息：
- 提供标准42引脚塑料SOJ和50引脚塑料TSOP TYPE I封装，提供高系统位密度。
