1. 物料型号：
- NN5118160A/NN5118160B系列，是高性能CMOS动态随机存取存储器，采用1Mx16bit配置。
2. 器件简介：
- 该系列存储器以1,048,576字×16位的方式组织。利用先进的CMOS技术制造，具有高速、极低功耗和宽广的工作电压范围特点。支持高速页面模式操作，允许在行地址上进行高速读写操作。
3. 引脚分配：
- 42-pin SOJ和50-pin TSOP TYPE I封装。地址输入A0-A9，RAS行地址选通，UCAS和LCAS列地址选通，OE输出使能，VO1~VO16数据输入/输出，WE写使能，Vcc+5V供电，Vss地，NC无连接。
4. 参数特性：
- 工作电压：单5V电源；
- 性能范围：NN5118160A和NN5118160B有不同的性能参数，如最大RAS访问时间、最大CAS访问时间、最大列地址访问时间和最大读写周期时间；
- 快速页面模式操作；
- 低功耗操作，包括待机和刷新电流；
- 刷新周期：标准16ms和L版本128ms。
5. 功能详解：
- 包括独立的CAS（UCAS, LCAS）用于字节选择；
- 支持字节读写模式操作；
- 低待机电流（CMOS水平输入）；
- 1024次刷新周期；
- 多种刷新模式，包括RAS only、CAS before RAS、Hidden Refresh；
- 所有输入/输出和时钟完全与TTL和CMOS兼容。
6. 应用信息：
- 适用于需要高速、低功耗和高可靠性存储器的应用场合。
7. 封装信息：
- 提供标准42-pin塑料SOJ和50-pin塑料TSOP TYPE I封装。
