物料型号：
- NN5118160A/NN5118160B
器件简介：
- NN5118160A/NN5118160B系列是一款由先进CMOS技术制造的高性能动态随机存取存储器，采用1,048,576字×16位的组织方式。该系列具有高速页面模式操作能力，允许在任何列地址沿行地址进行高速读、写或读/写操作。
引脚分配：
- 42引脚塑料小外形J封装（SOJ）和50引脚塑料薄型缩排封装（TSOP TYPE I）。
- 引脚包括数据输入/输出（VO1~VO16），地址输入（A0-A9），行地址选通（RAS），列地址选通上字节控制（UCAS）和下字节控制（LCAS），输出使能（OE），写使能（WE），供电（Vcc）和地（Vss）等。
参数特性：
- 单5V 10%功率供电。
- 性能范围包括NN5118160A和NN5118160B两个型号，具体参数如下：
- 最大RAS访问时间（RAC）：NN5118160A为50ns至70ns，NN5118160B为40ns至60ns。
- 最大CAS访问时间（tcAc）：NN5118160A为15ns至20ns，NN5118160B为11ns至15ns。
- 最大列地址访问时间（tAA）：NN5118160A为25ns至35ns，NN5118160B为20ns至30ns。
- 最大读/写周期时间（tnc）：NN5118160A为100ns至130ns，NN5118160B为80ns至110ns。
功能详解：
- 支持快速页面模式操作，独立CAS用于字节选择。
- 支持低功耗操作，包括低待机电流和1024次刷新周期。
- 支持多种刷新模式，包括RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新和隐藏刷新。
- 所有输入/输出和时钟信号完全兼容TTL和CMOS。
应用信息：
- 该系列DRAM由于其高速度、低功耗和宽工作电压范围，适用于需要高性能和低功耗的应用场合。
封装信息：
- 提供42引脚塑料小外形J封装（P42SJ-2B-L）和50/44引脚塑料薄型缩排封装（P50/44TP-3B-L）。
