PJ2N9012CX

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ETC1
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PJ2N9012CX - PNP Epitaxial Silicon Transistor - List of Unclassifed Manufacturers

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PJ2N9012 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION TO-92 SOT-23 • • • • High total power dissipation(PT=625mW) High collector Current (Ic=-500mA) C omplementary to 2N9013 Excellent hEF Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25 ℃ ) Rating C ollector Base Voltage C ollector Emitter Voltage Emitter Base Voltage C ollector Current C ollector Dissipation Junction Temperature S torage Temperature Symbol VCBO VCEO VEBO Ic Pc Tj Tstg Value -40 -20 -5 -500 625 150 -55 ~150 Uint V V V A W 0 0 P in : 1.Emitter 2.Base 3.Collector P in : 1. Base 2. Emitter 3. Collector ORDERING INFORMATION C C Device P J2N9012CT P J2N9012CX Operating Temperature -20℃～+85℃ Package TO-92 S OT-23 E LECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25 0C) C haracte ristic C ollector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain Collector- Base Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Symbol BVCBO B VCEO B VEBO ICBO IEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) VBE(ON) Te st Conditions IC= -100μA , IE =0 IC= -1mA , IB=0 IE =-100μA , IC=0 VCB= -25V , IE = 0 VEB= -3V , IC=0 VEB= -1V, IC = -50mA VEB= -1V, IC = -500mA IC= -500 mA , IB=-50mA IC= -500mA , IB=-50mA VCE = -1V, Ic =-10mA Min -40 -20 -5 Typ Max Unit V V V -100 -100 64 40 0.58 120 90 0.14 0.84 0.63 0.3 1.0 0.7 202 nA nA V V V hEF CLASSIFICATION Classification hEF D 64-91 E 78-112 F 96-135 G 112-166 H 144-202 1-3 2002/01.rev.A PJ2N9012 PNP Epitaxial Silicon Transistor S TATIC CHARACTERISTIC DC CURRENT GAIN BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT 2-3 2002/01.rev.A PJ2N9012 PNP Epitaxial Silicon Transistor 3-3 2002/01.rev.A

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PJ2N9012CX

1. 物料型号： - PJ2N9012CT：工作温度范围为-20°C至+85°C，封装为TO-92。 - PJ2N9012CX：封装为SOT-23。

2. 器件简介： - PJ2N9012是一款PNP外延硅晶体管，用作输出放大器，与2N9013互补，具有优秀的hFE线性特性。

3. 引脚分配： - TO-92封装：1.Emitter 2.Base 3.Collector。 - SOT-23封装：1.Base 2.Emitter 3.Collector。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：-40V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-20V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（Ic）：-500mA - 集电极耗散功率（Pc）：625mW - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C - 电学特性： - 集基击穿电压（BVCBO）：-40V - 集射击穿电压（BVCEO）：-20V - 发基击穿电压（BVEBO）：-5V - 集基截止电流（IcBO）：-100nA - 发基截止电流（IEBO）：-100nA - DC电流增益（hFE）：64至202 - 集基饱和电压（VCE(sat)）：0.14至0.3V - 发基饱和电压（VBE(sat)）：0.58至1.0V - 发基开启电压（VBE(ON)）：0.63至0.7V

5. 功能详解： - PJ2N9012晶体管具有高增益和良好的线性特性，适用于音频放大器和其他低频放大应用。

6. 应用信息： - 该晶体管适用于一般用途的低频放大，由于其互补型号2N9013的存在，也适用于音频放大器设计。

7. 封装信息： - 提供TO-92和SOT-23两种封装形式，具体尺寸如下： - TO-92：0.25±0.31mm x 0.4±0.025mm - SOT-23：3.5±0.2mm x 2.54±0.12mm

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