SG-636PDE

SG-636PDE

  • 厂商:

    ETC1

  • 封装:

  • 描述:

    SG-636PDE - HIGH-FREQUENCY CRYSTAL OSCILLATOR - List of Unclassifed Manufacturers

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  • 数据手册
  • 价格&库存
SG-636PDE 数据手册
Crystal oscillator HIGH-FREQUENCY CRYSTAL OSCILLATOR SG-636 series Product number (please refer to page 1) Q33 6 3 6 x x x x x x x 0 0 • A small SMD that enables high-density mounting. • A general-purpose device with builtin heat-resisting cylindrical AT-cut crystal and allowing almost the same temperature condition for soldering as SMD IC. • Low current consumption by output enable function(OE) or standby function(ST). Actual size Specifications (characteristics) Item Output frequency range Symbol f0 SG-636PTF 2.21675 MHz to 41.0000 MHz Specifications SG-636PH SG-636SCE/PCE 41.0001 MHz to 2.21675 MHz to 70.0000 MHz 40.0000 MHz -0.5 V to +7.0 V 3.3 V ±0.3 V -55 °C to +100 °C -20 °C to +70 °C C: ±100 x 10-6 SG-636PDE 2.21675MHz to 40.0000MHz 2.5 V ±0.25 V Remarks Refer to page 31. "Frequency range" Power source Max. supply voltage VDD-GND voltage Operating voltage VDD Temperature Storage temperature TSTG range Operating temperature TOPR Frequency stability ∆f/f0 Current consumption lop Output disable current IOE Duty Output voltage Output load condition CMOS level (fan out) TTL level CMOS level TTL level tw/t VOH VOL CL N VIH VIL tTLH tTHL tosc fa S.R. 5.0 V ±0.5 V Stored as bare product after unpacking Refer to page 31. "Frequency range" 5 mA Max. 3 mA Max. 17 mA Max. 10 mA Max. 45 % to 55 % 35 mA Max. 20 mA Max. 9 mA Max. 5 mA Max. — 40 % to 60 % VDD -0.4 V Min. 0.4 V Max. 50 pF Max. 10 TTL Max. 20 pF Max.( ≤ 55 MHz) 15 pF Max.( > 55 MHz) 45 % to 55 % No load condition OE=GND, ST=GND 2 µA Max.(SCE) CMOS load: 1/2 VDD level TTL load: 1.4 V level IOH =-8 mA (PTF) /-4 mA (PH / SCE / PCE / PDE) IOL =16 mA (PTF) /4 mA (PH / SCE / PCE / PDE) 30 pF Max. — 15 pF Max. CL
SG-636PDE
物料型号: - SG-636系列,具体型号包括SG-636PTF、SG-636PH、SG-636SCE/PCE、SG-636PDE等。

器件简介: - 这是一款小型SMD封装的高频晶体振荡器,内置耐高温圆柱形AT切割晶体,允许与SMD IC几乎相同的焊接温度条件。 - 具有低电流消耗,通过输出使能(OE)或待机(ST)功能实现。

引脚分配: - 1号引脚:OE或ST - 2号引脚:GND - 3号引脚:OUT - 4号引脚:Vpp

参数特性: - 输出频率范围:2.21675 MHz至135.0000 MHz,具体范围依据型号不同而有所差异。 - 电源电压:最大供电电压-0.5V至+7.0V,操作电压5.0V±0.5V或3.3V±0.3V或2.5V±0.25V。 - 温度范围:存储温度-55°C至+100°C,操作温度-20°C至+70°C。 - 频率稳定性:C: 100x10,B: 50x10C±100x1。 - 电流消耗:输出禁用电流最大值17 mA至9 mA,待机电流最大值5 mA至16 mA。

功能详解: - 输出电压:CMOS水平VOH和VoL,TTL水平的输出电压。 - 输出负载条件:CMOS水平负载电容CL和TTL水平的负载。 - 输出使能/禁用输入电压:VIH和VIL。 - 输出上升/下降时间:CMOS和TTL水平的trUH、tHL。 - 振荡启动时间:tosci。 - 老化:±5x10 /年最大值。 - 冲击电阻:±20x10最大值。

应用信息: - 该晶体振荡器适用于需要高温稳定性和低功耗的应用场合。

封装信息: - 外部尺寸以毫米为单位,具体数值见文档中的图表。
SG-636PDE 价格&库存

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