物料型号:
- WSF256K8-XCX
器件简介:
- 这是一个256Kx8位的SRAM/FLASH模块,具有高级特性。
引脚分配:
- 该模块共有32个引脚,包括地址输入A0-18,数据输入/输出I/O0-7,芯片选择CS,输出使能OE,写使能WE,以及电源VCC和地VSS。
参数特性:
- 访问时间:SRAM为35ns,FLASH为70ns。
- 遵循JEDEC标准,采用陶瓷DIP 32引脚封装(Package 300)。
- 内存包括256Kx8的SRAM和256Kx8的5V FLASH。
- 低功耗CMOS技术,支持商业、工业和军事温度范围。
- TTL兼容的输入输出,内置去耦电容和多个地线以降低噪声。
功能详解:
- FLASH内存特征包括10000次擦写/编程周期,8个等大小的16KBytes扇区,支持全芯片擦除。
- 数据保持时间为10年,工作温度可达125°C。
- 5V供电,嵌入式擦除和编程算法,硬件和软件写保护,页编程操作和内部程序控制。
应用信息:
- 该模块适用于需要高速访问和大容量存储的应用场合,具体应用场景未在文档中详述。
封装信息:
- 封装类型为Package 300,32引脚,陶瓷DIP,单腔侧钎焊。