2SD669A

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD669A HS669A █ 主要用途 作低频功率放大。 █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………20W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）…………………………1W VCBO——集电极—基极电压………………………………18 0V VCEO—— 集 电极—发射 极电压…… …………… …………160V V E B O ——发 射极—基极电压……………………………… 5V I C — — 集 电 极电流 …… ……… …… ……… …… ……… 1.5 A TO-126 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE1 HFE2 VCE(sat) VBE fT Cob 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极压降 特征频率 输出电容 180 160 5 60 30 10 200 1 1.5 140 14 V V V μA V V MHz pF IC=1mA，IE=0 IC=10mA，REB=∝ IE=1mA，IC=0 VCB=160V, IE=0 VCE=5V, IC=150mA VCE=5V, IC=500mA IC=500mA, IB=50mA VCE=5V, IC=150mA VCE=5V, IC=150mA VCB=10V, IE=0， f=1MHz █分档及其标志 B 60—120 C 100—200