1. 物料型号:
- A30QS系列半导体保护熔断器,适用于保护300V及以下的功率半导体器件。
2. 器件简介:
- A30QS Amp-Trap®半导体保护熔断器,用于保护诸如二极管、相控晶闸管等功率半导体设备。
3. 引脚分配:
- 单极熔断器座适用于A30QS熔断器,具体分配如下:
- 1-30安培:70316
- 31-60安培:P243G
- 61-100安培:P243
- 101-200安培:P243
- 201-400安培:P243G
- 401-600安培:P243G
4. 参数特性:
- AC: 1-4500A 300VAC, 200kA I.R.
- DC: 300VDC, 100kA I.R. L/R= 10ms
- 低I²t值以最小化短路时对被保护组件的损害
- 控制电弧电压以减少在熔断器清除过程中对电路组件的应力
- 提供多种安装类型以帮助设备设计
5. 功能详解:
- 快速动作保护300伏(或更低)的重型整流器和类似的重型电源供应。
- 限流特性和低I²t值。
- 可选的指示器功能。
- 优越的直流能力。
6. 应用信息:
- 适用于需要快速动作保护的300伏或更低电压的重型整流器和类似重型电源供应。
7. 封装信息:
- 提供了不同安培额定值的A30QS系列的封装尺寸,包括A30QS1至A30QS4500等。