BC547

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 BC547 H547 █ 主要用途 开关和射频放大。 █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………500 mW V CBO —— 集 电极—基极 电压……… …………… ………… 50V V CE O —— 集 电极— 发射 极电压 …… ……… …… ……… … 45 V V E B O ——发 射极—基极电压……………………………… 6V I C — — 集 电 极电流 …… ……… …… ……… …… ……… 100 mA TO-92 1―集电极，C 2―基 极，B 3―发射极，E █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 ICBO HFE VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) fT NF 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 噪声系数 110 0.09 0.2 0.7 0.9 0.66 300 2 15 800 0.25 0.6 nA V V V V V V MHz dB 0.58 0.7 0.72 10 VCB=30V, IE=0 VCE=5V, IC=2mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA VCE=5V, IC=2mA VCE=5V, IC=10mA VCE=5V, IC=10mA， f=100MHz VCE=5V,IC=200μA f=1KHz，Rg=2KΩ █ 分档及其标志 A 110—220 B 200—450 C 420—800