BT152-600

汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier 对应国外型号 BT152-600 HCP20C60 █ 主要用途 单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。 █ 极限值（Tj=25℃） Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压 …………………………………………600V █ 外形图及引脚排列 IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）………………………………20A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=102℃）…………………… 13A ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 220A VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM — —正 向峰值门极 电流 … ……………… …………… ………… 5.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………20W █ 电参数（Tc=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 IDRM 重复峰值断态电流 10 200 uA V mA V V 20 200 1.1 60 VAK=VDRM 或 VRRM, Tc=25℃ Tc=125℃ VTM IGT VGT VGD IH (dv/dt)c 峰值通态电压(1) 门极触发电流(2) 门极触发电压(2) 门极不触发电压(1) 维持电流 最低电压上升率 热阻 热阻 0.2 1.6 15 1.5 ITM=40A，tp=380us VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VAK =12V, RL=100 ohm Tc=125℃ mA V/us ℃/W ℃/W IT=100mA, 栅极开路 Tc=25℃ 线 性 倾 斜 上 升 至 VD=VDRM 67%, 栅极开路,Tj=125℃ Rth(j-c) Rth(j-a) 结到外壳 结到环境 汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier 对应国外型号 BT152-600 HCP20C60 █ 特性曲线 图一、栅极特性 图二、最大外壳温度 栅极电流(mA) 最大允许外壳温度(°c) 栅极电压(V) 平均通态电流(A) 图三、典型正向压降 图四、热 响 应 通态电流（A） 通态电压（V） 瞬态热阻（°c/W） 时间（sec） 图五、典型栅极触发电压----结温 产 图六、典型栅极触发电流----结温 结 温（℃） 结 温（℃） 汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier 对应国外型号 BT152-600 HCP20C60 █ 特性曲线 图七、典型维持电流 图八、功 耗 结 温（℃） 最大平均功耗（W） 平均通态电流(A) 注： 1、 2、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1% 测量时不包括 RGK 电流