H5610

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 HIT5610 H5610 █ 主要用途 作音频放大。 █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………750 mW V CB O —— 集 电极—基 极 电压…… … ………… … ……… - 25V V C E O — — 集 电极— 发射 极电压 …… ……… …… ……… - 20 V V E B O ——发 射极—基极 电压……… …………… ……… - 5V IC——集电极电流………………………………………-1A TO-92 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE VCE(sat) VBE fT Cob 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极电压 特征频率 共基极输出电容 -25 -20 -5 60 -0.2 -0.8 360 38 -1 240 -0.5 -1 V V V μA V V MHz VCE=-2V, IC=-500mA pF VCB=-10V,IE=0，f=1MHz IC=-10μA，IE=0 IC=-1mA，IB=0 IE=-10μA，IC=0 VCB=-20V, IE=0 VCE=-2V, IC=-500mA IC=0.8A, IB=-80mA VCE=-2V, IC=-500mA █ 分档及其标志 A B 85—170 C 120—240 60—120