H8550

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 S8550 H8550 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A063AJ-00-XXX 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：600×600µm 2 焊位尺寸：B 极 130×150µm；E 极 140×130µm 电极金属：铝 背面金属：金 封装形式：TO-92 █ 芯片图 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率…………………………………1W V CBO ——集电极—基极电压……………………………… -40 V V CEO — — 集 电极—发射 极电压…… …………… ………… -25V V EB O — — 发 射极— 基极 电压… …… ……… …… ……… … -6 V I C ——集电 极电流…… …………… …………… ……… -1.5A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 ICBO IEBO HFE VBE（ON） VCE(sat） VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -0.1 -0.1 85 40 基极—发射极导通电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 40 25 6 100 -1.0 -0.5 -1.2 V V V V V V MHz 500 单位 μA μA 测 试 条 件 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCB=-35V, IE=0 VEB=-6V, IC=0 VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-800mA VCE=-1V, IC=-10mA IC=-800mA, IB=-80mA IC=-800mA， IB=-80mA IC=-100μA，IE=0 IC=-2mA，IB=0 IE=-100μA，IC=0 VCE=-10V, IC=-50mA