HSBD140

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 BD140 HSBD140 █ 主要用途 中功率线性开关 █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ T j ——结温 …………… …………… …………… …… 1 50 ℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）…………………… 12.5W PC——集电极功率耗散（TA=25℃）………………………1.25W VCBO——集电极—基极电压……………………………… -80V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… -80V VEBO——发射极—基极电压…………………………………-5V IC——集电极电流(Pulse)…………………………………… -3A IC——集电极电流(DC)…………………………………… -1.5A IB——基极电流…………………………………………… -0.5A 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B █ 电参数（TC=25℃） 参数符号 ICBO IEBO *hFE(1) *hFE(2) *hFE(3) *VCE(sat) *VBE(ON) *VCEO(SUS) 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 -0.1 -10 25 25 40 250 -0.5 -1.0 -80 V V V 单位 μA μA 测 试 条 件 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益(1) 直流电流增益(2) 直流电流增益(3) 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极电压 集电极—发射极维持电压 VCB= -30V, IE=0 VEB= -5V, IC=0 VCE= -2V, IC= -5mA VCE= -2V, IC= -0.5A VCE= -2V, IC= -150mA Ic= -500mA, IB= -50mA Ic= -0.5A, VCE= -2V Ic= -30mA,IB=0 *Pulse Test: PW=350μS,Duty Cycle=2% Pulsed █hFE(3)分档及其标志 Cassification 6 40~100 10 63~160 16 100~250 hFE(3)