1. 物料型号:
- 型号为P3503EVG,是一个P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor。
2. 器件简介:
- 该器件是一个P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管,采用SOP-8封装,并且是无铅的。
3. 引脚分配:
- 4: GATE
- 5, 6, 7, 8: DRAIN
- 1, 2, 3: SOURCE
4. 参数特性:
- 漏源电压(V(BR)DSS):-30V
- 栅源电压(VGs):+20V
- 连续漏电流(ID):在25°C时为-8A,在70°C时为-7A
- 脉冲漏电流(IDM):-30A
- 功率耗散(PD):在25°C时为2.5W,在70°C时为1.3W
- 工作结与存储温度范围(Tj,Tstg):-55至150°C
5. 功能详解:
- 该器件是一个P沟道场效应晶体管,用于逻辑电平增强型应用,具有低导通电阻和高输入阻抗的特点。
6. 应用信息:
- 适用于需要P沟道场效应晶体管的逻辑电平增强型应用,如开关电源、马达控制等。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOP-8,具体尺寸参数如下:
- A: 4.8mm (Min.) 至 5.0mm (Max.)
- B: 3.8mm (Min.) 至 4.0mm (Max.)
- C: 5.8mm (Min.) 至 6.2mm (Max.)
- 其他尺寸参数也在PDF中详细列出。