### 物料型号
- T68K1MGC-7/-8 SOP-32
- T68K1MTC-7/-8 TSOP-32
- T68K1MSC-7/-8 STSOP-32
- T68K1MBC-7/-8 BGA-36
- T68K1MDC-7/-8 Dice
- T68S1MGC-7/-8 SOP-32
- T68S1MTC-7/-8 TSOP-32
- T68S1MSC-7/-8 STSOP-32
- T68S1MBC-7/-8 BGA-36
- T68S1MDC-7/-8 Dice
- T68R1MGC-8/-10 SOP-32
- T68R1MTC-8/-10 TSOP-32
- T68R1MSC-8/-10 STSOP-32
- T68R1MBC-8/-10 BGA-36
- T68R1MDC-8/-10 Dice
### 器件简介
T68K1M、T68S1M和T68R1M系列是低功耗、高性能的CMOS SRAM,组织为131,072字×8位。它们分别在2.7V至3.6V、2.2V至2.7V和1.65V至2.2V的电压范围内工作。
### 引脚分配
- 8个数据引脚(IO1~IO8)
- 16个地址引脚(A0~A16)
- 4个控制引脚(/CE1, CE2, /OE, /WE)
### 参数特性
- 操作电压:T68K1M为2.7V~3.6V,T68S1M为2.2V~2.7V,T68R1M为1.65V~2.2V
- 低活动功耗和待机功耗
- 高访问时间:70ns/85ns/100ns
- TTL兼容的输入和输出
- 低数据保持电压:2.0V(K系列),1.5V(S系列),1.0V(R系列)
- 当芯片未被选中时(/CE1引脚高电平或CE2引脚低电平)自动进入省电模式
### 功能详解
- 写入模式:当/CE1和/WE输入低电平,CE2输入高电平时,设备处于写入模式,8个数据引脚上的数据被写入由地址引脚指定的存储位置。
- 读取模式:当/CE1和/OE输入低电平,CE2和/WE输入保持高电平时,设备处于读取模式,指定存储位置的数据被驱动到8个数据引脚上。
- 高阻态:当/OE和/WE引脚均为高电平时,8个数据引脚处于高阻态。
### 应用信息
该系列SRAM适用于需要低功耗和高性能存储解决方案的应用场合。
### 封装信息
- JEDEC标准32引脚450-mil SOP
- 32引脚8mmx20mm塑料TSOP
- 32引脚8mmx13.4mm塑料STSOP
- 36球6mmx8mm BGA封装