AnaSem
Analog Semiconductor IC
VDA 系列
低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
Rev. C09-09
AnaSem
VDA 系列
概述
VDA系列乃用于低电压范围的低功耗,高检测精度的电压检测器。VDA 系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准确率参考电 压值来作基准。本集成电路采用最新的 CMOS 生产技术和激光微调技 术,与精锐的生产监控,也能提供CMOS或N-沟道的两种输出方式;而 集成电路的封装均能以SOT-23或SON-4类提供。
产品规格书 安纳森半导体
低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
无卤素 RoHS
符合标准
特点
检测电压范围······························································· .8V~6.0V (能以每0.1V间隔设定检测电压) 0 0.7V~6.0V 工作电压范围·································································· 高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V) / ±2% (VDET=0.8V~1.7V) Typ. ±20ppm/°C (VDET = 1.8V~6.0V) 电压检测温度特性·································································· CMOS or N-channel open drain 输出类别 ························································································· 低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN = 1.5V) –40°C 工作温度范围 ·································································· ~ +85°C SOT-23 (400mW), SON-4 (400mW) 小型封装 ·························································································
应用范围
微型处理器的从设程序 各类系统的开动从设 电池充电检测 各类系统备用电源,电池开关控制 电池寿命检测
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产品型号定义
V DA
设计版本 IC封装类别 A : TOPR = –40°C ~ +85°C T : SOT-23类 N : SON-4类 C : CMOS 式输出 N : N-沟道式输出 10 : ±1% 20 : ±2% 08 ~ 60 : 在0.8V ~ 6.0V检测电压范围内以 0.1V间隔设定检测电压 如) 18 : 1.8V 30 : 3.0V
输出形式
电压检测精度
检测电压
PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23)
Pin腳排位
VIN 3
位置. 1 2 3 IC封装记号
记号 VOUT VSS VIN 输出 接地 电压输入
解说
ABCDE
FFFF
1 VOUT
2 VSS
位置 A BC D E F
记号 C或N 08~60 1 or 2 A 厂方设定 输出模式 检测电压
解说
(顶视图)
电压检测精度 版本 生产批号
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PIN 脚排位 / IC封装记号 (SON-4)
Pin脚排位
VSS 4 NC 3
位置 1 2 3 4 IC封装记号 位置 A BC D E F
记号 VOUT VIN NC VSS 电压输出 电压输入
解说
ABCDE
FFFF
不接 (开电路) 接地
1 VOUT
2 VIN
记号 C或N 08~60 1 or 2 A 厂方设定 输出模式 检测电压
解说
(顶视图)
电压检测精度 版本 生产批号
典型应用电路
CMOS式输出 N-沟道式输出
VOUT VIN VSS
100KΩ VIN
VOUT
VSS
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IC电路图
CMOS式输出
VIN VIN
N-沟道式输出
+
Voltage Reference
VOUT
Voltage Reference
+ _
VOUT
_
Vss
Vss
绝对最大工作范围值
项目 电压输入范围 输出电流 电压输出范围 功率耗散
※1)
符号 VIN IOUT VOUT SOT-23 SON-4 PD PD TOPR TSTG
规格 –0.3 ~ +7.0 50 VSS –0.3 ~ VIN +0.3 400 (on PCB) 400 (on PCB) –40 ~ +85 –55 ~ +125
单位 V mA V mW mW °C °C
工作温度范围 储存温度范围
注: ※1)
功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定 PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.
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电子规格
(Ta=25°C除非另有注明) 项目 工作电压范围 符号 VIN VDET 检测电压 VDET 滯後现象范围 VHYS VIN=0.7V VIN=1.0V N-ch VDS=0.5V 输出电流 IOUT VIN=4.0V VIN=5.0V CMOS P-ch VDS=2.1V CMOS N-ch VDS=2.1V VIN=6.0V VIN=6.0V VIN=1.5V VIN=2.0V 电流功耗 ISS VIN=3.0V VIN=4.0V VIN=5.0V 流失电流 ILEAK ∆VDET / ∆Ta•VDET TDLY VIN=6.0V VOUT=6.0V VDET = 1.8V ~ 6.0V Ta = –40°C ~ +85°C VDET = 0.8V ~ 1.7V Ta = –40°C ~ +85°C Inverts from VDR to VOUT 6.0 7.0 1.5 12.8 13.8 -9.5 9.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 10 ±20 ±100 0.03 -1.5 2.1 2.5 2.8 3.0 3.4 100 0.2 mA mA mA mA μA μA μA μA μA nA ppm/°C 1 ppm/°C ms 5 3 2 4 3 VIN=2.0V VIN=3.0V 条件 VDET = 0.8V ~ 6.0V VDET = 1.8V ~ 6.0V Ta = –40°C ~ +85°C VDET = 0.8V ~ 1.7V Ta = –40°C ~ +85°C 最低 0.7 VDET ×0.99 VDET ×0.98 VDET ×0.02 0.1 1.0 3.0 5.0 一般 VDET VDET VDET ×0.05 0.35 2.3 8.2 11.1 最高 6.0 VDET ×1.01 VDET ×1.02 VDET ×0.08 单位 V V 1 V V mA mA mA 3 mA 1 测试 电路 1
电压检测温度特征
延迟时间 VDR→VOUT inversion
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测试电路
电路 (1) – 工作电压,检测电压,滯後现象范围,电压检测温度特征
VIN VIN V VSS VOUT
R
100KΩ *1)
V
注 1) : 在CMOS式输出的产品上电阻(100KΩ)可以省掉
电路 (2) – 电流功耗
A
电路 (3) – N-沟道驱动输出电流
VIN VIN VIN VOUT VSS
VIN VOUT VSS VDS A
电路 (4) – P-沟道驱动输出电流
电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向)
VIN VIN VOUT VSS A
VDS
VIN VOUT
R
100KΩ
*1)
波形型号量度 VSS
注 1) : 在CMOS式输出的产品上电阻 (100KΩ) 可以省掉
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工作原理解说
一般运作 (CMOS式输出) 请产考以下CMOS式输出的VDA系列电路图 ;
VIN
+
Voltage Reference
_
P-ch
VOUT
N-ch
Vss
A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供,因此时电路内的N-沟道 三极管 为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时 输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。 B. 当 输 入 电 压 (VIN) 下 降 至 低 于 设 定 的 检 测 电 压 (VDET), 电路内的N-沟道三极管为ON状态,而 P沟道三极管会成为 OFF 。此外,此情况下电压输 出(VOUT)与地电压(VSS)相等。 C. 当输入电压(VIN)下降至低于最低工作电压, 电压输 出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输出被拉至输 入电压时电压输出 (VOUT) 水平会达至输入电压 (V I N)水平。 D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时, 虽然 输入电压 (VIN) 升高于检测电压 (V DET ) ,在不超于 释放电压 (VREL ) 的情况下,地电压 (VSS) 会保持原 来的水平。 E. 当输入电压(VIN)上升至高于释放电压(VREL)时, 电 路内的 N- 沟道三极管会成 OFF 的状态,而 P- 沟道 三 极管会成 ON 的状态 . 此 外 , 在 此情况下输出电 压(VOUT)与输入电压(VIN)相等. 此释放电压(VREL) 与检测电压(VDET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。 [ 运作时间表 ]
输入电压 (VIN)
释放电压 (VREL) 检测电压 (VDET)
最低工作电压 地电压 (VSS)
输出电压 (VOUT)
释放电压 (VREL) 检测电压 (VDET) 滯後现象范围(VHYS) 最低工作电压 地电压 (VSS)
AB
C
DE
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一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
1.8 1.6 Supply Current : IDD (µA) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V) 6 7
Ta=+25°C Ta=-40°C
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
1.8 1.6 Supply Current : IDD (µA) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
Ta=+25°C Ta=-40°C
2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V)
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VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
1.8 1.6 Supply Current : IDD (µA) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1 2 3 4 5 6 7
Ta=+25°C Ta=-40°C
VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
1.8 1.6 Supply Current : IDD (µA) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1 2 3
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
Ta=+25°C Ta=-40°C
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5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
1.8 1.6 Supply Current : IDD (µA) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1 2 3 4 5 6 7
Ta=+85°C
VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V 1.8 1.6 Supply Current : IDD (µA) 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 1 2 3 4 5 6 7
Ta=-40°C Ta=+85°C Ta=+25°C
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+25°C Ta=-40°C
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 2.15 2.13 2.11 2.09 2.07 2.05 2.03 2.01 1.99 1.97 1.95 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage Release Voltage
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) VIN=0V~6.0V, Step=0.2V 2.68 2.66 2.64 2.62 2.60 2.58 2.56 2.54 2.52 2.50 2.48 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Release Voltage
VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 1.08 1.07 1.06 1.05 1.04 1.03 1.02 1.01 1.00 1.99 0.98 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage Release Voltage
VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) VIN=0V~6.0V, Step=0.2V 1.95 1.93 1.91 1.89 1.87 1.85 1.83 1.81 1.79 1.77 1.75 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage Release Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 2.88 2.86 2.84 2.82 2.80 2.78 2.76 2.74 2.72 2.70 2.68 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage Release Voltage
VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) VIN=0V~6.0V, Step=0.2V 4.30 4.25
Release Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
4.20 4.15 4.10 4.05 4.00 3.95 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage
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一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
2.5 Output Voltage : VOUT (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0
VDET VREL
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0
VDET VREL
Ta=25°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
2.5 Output Voltage : VOUT (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 Input Voltage : VIN (V)
VDET VREL
VDA1820NTA (N-ch 1.8V)
Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Input Voltage : VIN (V)
VDET VREL
Ta=25°C
VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
3.0 Output Voltage : VOUT (V) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Input Voltage : VIN (V)
VDET VREL
VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 Input Voltage : VIN (V)
VDET VREL
Ta=25°C
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一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
1.2 Output Current : IOUT (mA) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VDS (V)
VIN=0.7V
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
VIN=0.8V
1.2 Output Current : IOUT (mA) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Ta=25°C
VIN=0.8V
VIN=0.7V
0.8
0.9
VDS (V)
VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
1.2 Output Current : IOUT (mA) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VDS (V)
VIN=0.7V
VDA1820NTA (N-ch 1.8V)
Ta=25°C
VIN=0.8V
1.2 Output Current : IOUT (mA) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Ta=25°C
VIN=0.8V
VIN=0.7V
0.8
0.9
VDS (V)
VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
1.2 Output Current : IOUT (mA) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VDS (V)
VIN=0.7V
VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
Ta=25°C 1.2 Output Current : IOUT (mA) 1.0
VIN=0.8V
Ta=25°C
VIN=0.8V
0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VDS (V)
VIN=0.7V
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VDA 系列
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续)
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
9.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 VDS (V) 1.0 1.2 1.4 1.6
VIN=1.0V
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C Output Current : IOUT (mA)
VIN=1.5V
18.0 16.0 14.0 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 VDS (V) 1.5 2.0
VIN=1.0V VIN=1.5V
Ta=25°C
VIN=2.0V
2.5
VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
3.0 Output Current : IOUT (mA) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 02 0.4 0.6 VDS (V) 0.8 1.0 1.2
VIN=0.9V
VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
Ta=25°C Output Current : IOUT (mA) 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 VDS (V) 1.0 1.2 1.4 1.6
VIN=1.0V
Ta=25°C
VIN=1.5V
VIN=1.0V
VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
30.0 Output Current : IOUT (mA) 25.0 20.0
VIN=2.0V
VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
Ta=25°C Output Current : IOUT (mA)
VIN=2.5V
45.0 40.0 35.0 30.0 25.0 20.0 15.0 10.0 5.0 0
VIN=1.5V VIN=3.0V
Ta=25°C
VIN=3.5V
15.0 10.0 5.0 0 0 0.5 1.0 1.5 VDS (V) 2.0 2.5 3.0
VIN=1.0V VIN=1.5V
VIN=2.5V
VIN=2.0V
0
0.5
1.0
1.5
2.0 VDS (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
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一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
12.0 Output Current : IOUT (mA) 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
12.0 10.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDA1020NTA (N-ch 1.0V)
3.5 Output Current : IOUT (mA) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDA1810NTA (N-ch 1.8V)
10.0 Output Current : IOUT (mA) 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
VDA2710NTA (N-ch 2.7V)
14.0 Output Current : IOUT (mA) 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDA4010NTA (N-ch 4.0V)
14.0 Output Current : IOUT (mA) 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
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低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDA 系列
一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
VDA2010CTA (CMOS 2.0V)
10.0 9.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Input Voltage : VIN (V)
VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V
Ta=25°C
VDA2510CTA (CMOS 2.5V)
10.0 9.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Input Voltage : VIN (V)
VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V
Ta=25°C
14
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDA 系列
IC封装尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
0.65 –0.15 Min 0.15 0~0.1 0~10° Min 0.15 0.8 1.0 0.15 –0.05 1.1±0.15
+0.11 +0.10
2.9±0.2 0.4±0.1
0~30°
2.8 +0.20 –0.60
(Marked Side)
0.4±0.1 0.95 0.95
0.4±0.1 0.65 –0.15
+0.10
1.9±0.2
1.6 –0.30
+0.15
贴装尺寸建议
0.8±0.1 1.1±0.2
0.8 1.0 1.0
0.8
0.95 1.9
0.95
15
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
2.4
低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDA 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23)
(单位 : mm)
4.0±0.1 0.2±0.05
+ ø1.5 –00.1
2.0±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1 3.35±0.1
Mark
Mark
1.65 max.
ø1.05±0.05
4.0±0.1
装带方向
转卷尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
90° 120° 2.0±0.5 ø13±0.5
(3,000 pcs / 卷)
9.0±0.5
16
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
ø178±2
ø60±1
3.4±0.1
8.0±0.2
低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDA 系列
IC封装尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
0.1±0.1 (Marked side) 0.25±0.1 0.35
+0.10 -0.05
0.3
+0.10 -0.05
1.3
2.1±0.1
1.6
0.6±0.05
2.0±0.2
2.0±0.2
贴装尺寸建议
0.45 0.6±0.05 0.7 0.7 0.45
0.5 0.7 0.7
0.45
1.3
17
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
1.8
低电压,低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDA 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SON-4)
(单位 : mm)
4.0±0.1 0.25±0.05
+ ø1.5 –00.1
2.0±0.05
3.5±0.05 ø178±2
1.75±0.1 2.4±0.1
Mark
Mark
0.75±0.1
ø1.05±0.05
4.0±0.1
装带方向
装卷尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
90° 120° 2.0±0.5 ø13±0.5
(3,000 pcs / 卷)
9.0±0.5
18
.......... Future of the analog world
ø60±1
AnaSem Inc.
2.4±0.1
8.0±0.2
AnaSem
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