VDD

AnaSem Analog Semiconductor IC VDD 系列 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器（内置延迟电路） Rev. C09-09 AnaSem Inc. .......... Future of the analog world Rev. C09-09 AnaSem VDD 系列 概述 VDD 系列乃用于低电压范围的低功耗，高检测精度的内置延迟电路电压 检测器. VDD系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准 确率参考电压值来作基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激 光微调技术，与精锐的生产监控。因为内置有延迟电路，延迟检测时间 不需配合外围元件便可以原厂设定之延迟时间范围来选择。 产品规格书 安纳森半导体 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 无卤素 RoHS 符合标准 特点 1.8V~6.0V (selectable with a step of 0.1V) 检测电压范围 ·································································· 0.7V~6.0V 工作电压范围 ·································································· 高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V) Typ. ±20ppm/°C (VDET=1.8V~6.0V) 电压检测温度特征 ·································································· S/10~50ms, M/50~200ms, L/80~400ms 延迟时间选择 ························································································· CMOS or N-channel open drain 输出类别 ························································································· 低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN=1.5V) –40°C 工作温度范围 ·································································· ~ +85°C SOT-23 (400mW), SON-4 (400mW) 小型封装 ························································································· 应用范围 微型处理器的从设程序 各类系统的开动从设 电池充电检测 各类系统备用电源，电池开关控制 电池寿命检测 延迟电路设计 1 AnaSem Inc. .......... Future of the analog world 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 产品型号定义 V DD 设计版本 IC封装类别 输出形式 A : TOPR = –40°C ~ +85°C T : SOT-23 N : SON-4 C : CMOS式输出 N : N-沟道式输出 S : 10msec~50msec M : 50msec~200msec L : 80msec~400msec 1 : ±1% 18 ~ 60 : 在1.8V ~ 6.0V检测电压范围内以 0.1V间隔设定检测电压 e.g.) 18 : 1.8V 30 : 3.0V 延迟时间 电压检测精度 检测电压 PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23) Pin脚排位 VIN 3 位置. 1 2 3 记号 VOUT VSS VIN 输出 接地 电压输入 解说 ABCDE FFFF Marking Specification 1 VOUT 2 VSS 位置 A BC D E F 记号 C或N 18~60 S, M 或 L A 厂方设定 输出模式 检测电压 解说 (顶视图) 延迟时间选择 版本 生产批号 2 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 PIN脚排位 / IC封装记号 (SON-4) Pin脚排位 VSS 4 NC 3 位置 1 2 3 4 IC封装记号 位置 A BC D E F 记号 VOUT VIN NC VSS 电压输出 电压输入 解说 ABCDE FFFF 不接 (开电路) 接地 1 VOUT 2 VIN 记号 C或N 18~60 S, M 或 L A 厂方设定 输出模式 检测电压 解说 (Top view) 延迟时间选择 版本 生产批号 典型应用电路 CMOS式输出 N-沟道式输出 VOUT VIN VSS 100KΩ VIN VOUT VSS 3 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 IC电路图 CMOS式输出 VIN VIN N-沟道式输出 + Voltage Reference _ Delay circuit VOUT Voltage Reference + _ Delay circuit VOUT Vss Vss 绝对最大工作范围值 项目 电压输入范围 输出电流 电压输出范围 功率耗散 ※1) 符号 VIN IOUT VOUT SOT-23 SON-4 PD PD TOPR TSTG 规格 –0.3 ~ +7.0 50 VSS –0.3 ~ VIN +0.3 400 (on PCB) 400 (on PCB) –40 ~ +85 –55 ~ +125 单位 V mA V mW mW °C °C 工作温度范围 储存温度范围 注: ※1) 功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定 PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm. 4 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 电子规格 (Ta=25°C 除非另有注明) 项目 工作电压范围 检测电压 滯後现象范围 符号 VIN VDET VHYS VIN=0.7V VIN=1.0V N-ch VDS=0.5V 输出电流 IOUT VIN=4.0V VIN=5.0V CMOS P-ch VDS=2.1V CMOS N-ch VDS=2.1V VIN=6.0V VIN=6.0V VIN=1.5V VIN=2.0V 电流功耗 ISS VIN=3.0V VIN=4.0V VIN=5.0V 流失电流 电压检测温度特征 ILEAK ∆VDET / ∆Ta•VDET VIN=6.0V VOUT=6.0V VDET = 1.8V ~ 6.0V Ta = –40°C ~ +85°C 6.0 7.0 1.5 10 延迟时间 VDR→VOUT inversion TDLY VIN = 0.7V ~ 6.0V 50 80 12.8 13.8 -9.5 9.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 10 ±20 -1.5 2.1 2.5 2.8 3.0 3.4 100 50 200 400 mA mA mA mA μA μA μA μA μA nA ppm/°C ms ms ms 5 3 1 2 4 3 VIN=2.0V VIN=3.0V 条件 VDET = 1.8V ~ 6.0V VDET = 1.8V ~ 6.0V Ta = –40°C ~ +85°C 最低 0.7 VDET ×0.99 VDET ×0.02 0.1 1.0 3.0 5.0 一般 VDET VDET ×0.05 0.35 2.3 8.2 11.1 最高 6.0 VDET ×1.01 VDET ×0.08 单位 V V V mA mA mA 3 mA 测试 电路 1 1 1 5 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 测试电路 电路 (1) – 工作电压，检测电压，滯後现象范围，电压检测温度特征 VIN VIN V VSS VOUT R 100KΩ *1) V 注 1) : 在CMOS式输出的产品上电阻(100KΩ)可以省掉 电路 (2) – 电流功耗 A 电路 (3) – N-沟道驱动输出电流 VIN VIN VIN VOUT VSS VIN VOUT VSS VDS A 电路 (4) – P-沟道驱动输出电流 电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向) VIN VIN VOUT VSS A VDS VIN VOUT R 100KΩ *1) 波形型号量度 VSS 注 1) : 在CMOS式输出的产品上电阻 (100KΩ) 可以省掉 6 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 工作原理解说 一般运作 (CMOS式输出) 请产考以下CMOS式输出的VDD系列电路图 ; VIN + Voltage Reference _ Delay Circuit P-ch VOUT N-ch Vss A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供，因此时电路内的N-沟道 三极管 为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时 输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。 B. 当 输入电压 (VIN) 下降至低于设定的检测电压 (VDET), 电 路内的 N- 沟道三极管 为 ON 状态， 而 P-沟道三极管会成为OFF。此外，此情况 下电压输出(VOUT)与地电压(VSS)相等。 C. 当 输入电压 (VIN) 下降至低于最低工作电压 , 电压输出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输 出被拉至输入电压时电压输出 (VOUT) 水平会 达至输入电压(VIN)水平。 D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时, 虽 然输入电压 (VIN) 升高于检测电压 (V DET ) ， 在不超于释放电压 (V REL ) 的情况下，地电压 (VSS)会保持原来的水平。 E. 随 着延迟时间 , 当 输入电压 (VIN) 升至超于释 放电压 (VREL) 时，内置的 N- 沟道三极管会成 OFF状态，而P-沟道三极管会成ON状态。此 外 , 在 此情况下输出电压 (VOUT) 与 输入电压 (VIN) 相等 . 此释放电压(VREL) 与检测电压(VD ET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。 [ 运作时间表 ] 输入电压 (VIN) 释放电压 (VREL) 检测电压 (VDET) 最低工作电压 地电压 (VSS) 输出电压 (VOUT) 释放电压 (VREL) Detection voltage (VDET) 滯後现象范围(VHYS) 延迟时间 (TDLY) 最低工作电压 地电压 (VSS) AB C DE 7 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压 VDD181SCTA (CMOS 1.8V) 3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0 Ta=+25°C VDD251SCTA (CMOS 2.5V) VIN=0V~6.0V, Step=0.2V 3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 Ta=+25°C Ta=-40°C VIN=0V~6.0V, Step=0.2V Ta=+85°C Ta=+85°C 1.5 Ta=-40°C 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V) 6 7 0 1 2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V) 6 7 VDD351SCTA (CMOS 3.5V) 3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 VIN=0V~6.0V, Step=0.2V VDD451SCTA (CMOS 4.5V) 3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0 Ta=+25°C VIN=0V~6.0V, Step=0.2V Ta=+85°C Ta=+85°C Ta=+25°C Ta=-40°C 1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5 Ta=-40°C 6 7 Input Voltage : VIN (V) Input Voltage : VIN (V) 8 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度 VDD181SCTA (CMOS 1.8V) Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 1.92 1.90 1.88 1.86 1.84 1.82 1.80 1.78 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) Detect Voltage VDD251SCTA (CMOS 2.5V) Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 2.66 2.64 2.62 2.60 2.58 2.56 2.54 2.52 2.50 2.48 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) Detect Voltage VIN=0V~6.0V, Step=10°C Release Voltage VIN=0V~6.0V, Step=10°C Release Voltage VDD351SCTA (CMOS 3.5V) Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 3.75 3.70 3.65 3.60 3.55 3.50 3.45 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) Detect Voltage VDD451SCTA (CMOS 4.5V) Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 4.80 4.75 4.70 4.65 4.60 4.55 4.50 4.45 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) Detect Voltage VIN=0V~6.0V, Step=10°C Release Voltage VIN=0V~6.0V, Step=10°C Release Voltage 9 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压 VDD181SCTA (CMOS 1.8V) 2.5 Output Voltage : VOUT (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0 VDET VREL VDD251SCTA (CMOS 2.5V) Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 VDET VREL Ta=25°C 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 Input Voltage : VIN (V) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Input Voltage : VIN (V) VDD351SCTA (CMOS 3.5V) 4.0 Output Voltage : VOUT (V) 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Input Voltage : VIN (V) VDET VREL VDD451SCTA (CMOS 4.5V) Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 5.0 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Input Voltage : VIN (V) VDET VREL Ta=25°C 10 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS VDD181SCTA (CMOS 1.8V) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C VIN=0.8V VDD251SCTA (CMOS 2.5V) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C =1.5V VIN=0.8V Output Current : IOUT (mA) VIN=0.7V VIN=0.7V Output Current : IOUT (mA) VIN=1.0V VIN=0.7V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 VDS (V) VDS (V) VDD351SCTA (CMOS 3.5V) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C VIN=0.8V VDD451MCTA (CMOS 4.5V) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C VIN=0.8V Output Current : IOUT (mA) VIN=0.7V VIN=0.7V Output Current : IOUT (mA) VIN=0.7V VIN=0.7V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 VDS (V) VDS (V) 11 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续) VDD181SCTA (CMOS 1.8V) 10.0 9.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 VIN=1.0V VIN=1.5V VDD251SCTA (CMOS 2.5V) Ta=25°C Output Current : IOUT (mA) 18.0 16.0 14.0 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 VDS (V) 1.5 2.0 2.5 VIN=1.0V VIN=1.5V Ta=25°C VIN=2.0V VDS (V) VDD351SCTA (CMOS 3.5V) 40.0 Output Current : IOUT (mA) 35.0 30.0 25.0 20.0 15.0 10.0 5.0 0 0 0.5 1.0 1.5 VDS (V) 2.0 2.5 3.0 VIN=1.0V VIN=1.5V VIN=2.0V VIN=3.0V VIN=2.5V VDD451MCTA (CMOS 4.5V) Ta=25°C Output Current : IOUT (mA) 60.0 50.0 40.0 30.0 20.0 10.0 VIN=1.5V Ta=25°C VIN=4.0V VIN=3.5V VIN=3.0V VIN=2.5V VIN=2.0V 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 VDS (V) 12 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压 VDD181SCTA (CMOS 1.8V) 12.0 Output Current : IOUT (mA) 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VDD251SCTA (CMOS 2.5V) 12.0 10.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Input Voltage : VIN (V) Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Input Voltage : VIN (V) VDD351SCTA (CMOS 3.5V) 14.0 Output Current : IOUT (mA) 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Input Voltage : VIN (V) Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VDD451SCTA (CMOS 4.5V) 14.0 Output Current : IOUT (mA) 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 Input Voltage : VIN (V) Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V 13 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压 VDD181SCTA (CMOS 1.8V) 10.0 9.0 8.0 Output Current : IOUT (mA) 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V Ta=25°C Input Voltage : VIN (V) VDD251SCTA (CMOS 2.5V) 10.0 9.0 8.0 Output Current : IOUT (mA) 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V Ta=25°C Input Voltage : VIN (V) VDD351SCTA (CMOS 3.5V) 10.0 9.0 8.0 Output Current : IOUT (mA) 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V Ta=25°C Input Voltage : VIN (V) 14 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – 延迟时间选择 vs. 温度 VDD221MCTA (CMOS 2.2V) 200 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 VIN=6.0V VIN=5.4V VDD271MCTA (CMOS 2.7V) 200 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 VIN=6.0V VIN=5.4V VIN=0V~6.0V, Step=10°C VIN=0V~6.0V, Step=10°C 20 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) 20 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) VDD271SNTA (N-ch 2.7V) 50 45 Delay Time : TDLY (msec) 40 35 30 25 20 15 10 VIN=6.0V VIN=5.4V VDD301MCTA (CMOS 3.0V) VIN=0V~6.0V, Step=10°C 200 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 VIN=6.0V VIN=5.4V VIN=0V~6.0V, Step=10°C 5 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) 20 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C) 15 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 一般特征 – 延迟时间选择 vs. 输入电压 VDD221MCTA (CMOS 2.2V) 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 2.0 2.5 Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VDD271MCTA (CMOS 2.7V) 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 2.5 3.0 Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VIN=2.36V~6.0V, Step=0.2V VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 Input Voltage : VIN (V) Input Voltage : VIN (V) VDD271SNTA (N-ch 2.7V) 50 Delay Time : TDLY (msec) 45 40 35 30 25 20 15 10 2.5 3.0 Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VDD301MCTA (CMOS 3.0V) 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 3.0 Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V VIN=3.2V~6.0V, Step=0.2V 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 Input Voltage : VIN (V) Input Voltage : VIN (V) 16 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 IC封装尺寸 (SOT-23) (单位 : mm) 0.65 –0.15 Min 0.15 0~0.1 0~10° Min 0.15 0.8 1.0 0.15 –0.05 1.1±0.15 +0.11 +0.10 2.9±0.2 0.4±0.1 0~30° 2.8 +0.20 –0.60 (Marked Side) 0.4±0.1 0.95 0.95 0.4±0.1 0.65 –0.15 +0.10 1.9±0.2 1.6 –0.30 +0.15 贴装尺寸建议 0.8±0.1 1.1±0.2 0.8 1.0 1.0 0.8 0.95 1.9 0.95 17 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 2.4 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23) (单位 : mm) 4.0±0.1 0.2±0.05 + ø1.5 –00.1 2.0±0.05 3.5±0.05 ø178±2 1.75±0.1 3.35±0.1 Mark Mark 1.65 max. ø1.05±0.05 4.0±0.1 装带方向 装卷尺寸 (SOT-23) (单位 : mm) 90° 120° 2.0±0.5 ø13±0.5 (3,000 pcs / 卷) 9.0±0.5 18 .......... Future of the analog world ø60±1 3.4±0.1 AnaSem Inc. 8.0±0.2 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 IC封装尺寸 (SON-4) (单位 : mm) 0.1±0.1 (Marked side) 0.25±0.1 0.35 +0.10 -0.05 0.3 +0.10 -0.05 1.3 2.1±0.1 1.6 0.6±0.05 2.0±0.2 2.0±0.2 贴装尺寸建议 0.45 0.6±0.05 0.7 0.7 0.45 0.5 0.7 0.7 0.45 1.3 19 .......... Future of the analog world AnaSem Inc. 1.8 低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器 Rev. C09-09 VDD 系列 角膜贴装和IC装带规格 (SON-4) (单位 : mm) 4.0±0.1 0.25±0.05 + ø1.5 –00.1 2.0±0.05 3.5±0.05 ø178±2 1.75±0.1 2.4±0.1 Mark Mark 0.75±0.1 ø1.05±0.05 4.0±0.1 装带方向 装卷尺寸 (SON-4) (单位 : mm) 90° 120° 2.0±0.5 ø13±0.5 (3,000 pcs / reel) 9.0±0.5 20 .......... Future of the analog world ø60±1 AnaSem Inc. 2.4±0.1 8.0±0.2 AnaSem 安纳森半导体(AnaSem Inc.)能在未作通知的情况下更改在此规格书内形容的产品，或停产与停止提供相关之产品基 于通过不断地设计和功能上的改良来为客户提供最好的产品。我们建议客户在订购安纳森产品前先与核准的销售代 理核查最新的资料与更新的产品情报来确保所订购之产品为最新的版本。了解和参照规格书内的指定用法和规格是 必要的。此规格书内所形容和提及之产品并不是用于对人体健康或生命做成影响的产品之意向。安纳森半导体 (AnaSem Inc.)在此声明不负责任何有关客户所设计的产品方案，产品设计，软件功能表现，侵犯专利或服务等项 目。安纳森半导体(AnaSem Inc.)并不透露或示意授权基于专利，复制权力，电路位置牌照，或其他智力财产相关于 安纳森在产品和附上所采用的配套方式和材料，或覆盖应用方式等的保证；也不保证在没有正式认同或没有持安纳 森半导体(AnaSem Inc.)的代理证之渠道所购买的产品之功能，质量等规格。客户不应在没有合当的政府部门批准或 容许下出口(直接或间接)安纳森之产品。 ANASEM INC.