AnaSem
Analog Semiconductor IC
VDD 系列
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测 CMOS 电压检测器（内置延迟电路）
Rev. C09-09
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
Rev. C09-09
AnaSem
VDD 系列
概述
VDD 系列乃用于低电压范围的低功耗，高检测精度的内置延迟电路电压 检测器. VDD系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准 确率参考电压值来作基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激 光微调技术，与精锐的生产监控。因为内置有延迟电路，延迟检测时间 不需配合外围元件便可以原厂设定之延迟时间范围来选择。
产品规格书 安纳森半导体
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
无卤素 RoHS
符合标准
特点
1.8V~6.0V (selectable with a step of 0.1V) 检测电压范围 ·································································· 0.7V~6.0V 工作电压范围 ·································································· 高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V) Typ. ±20ppm/°C (VDET=1.8V~6.0V) 电压检测温度特征 ·································································· S/10~50ms, M/50~200ms, L/80~400ms 延迟时间选择 ························································································· CMOS or N-channel open drain 输出类别 ························································································· 低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN=1.5V) –40°C 工作温度范围 ·································································· ~ +85°C SOT-23 (400mW), SON-4 (400mW) 小型封装 ·························································································
应用范围
微型处理器的从设程序 各类系统的开动从设 电池充电检测 各类系统备用电源，电池开关控制 电池寿命检测 延迟电路设计
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产品型号定义
V DD
设计版本 IC封装类别 输出形式 A : TOPR = –40°C ~ +85°C T : SOT-23 N : SON-4 C : CMOS式输出 N : N-沟道式输出 S : 10msec~50msec M : 50msec~200msec L : 80msec~400msec 1 : ±1% 18 ~ 60 : 在1.8V ~ 6.0V检测电压范围内以 0.1V间隔设定检测电压 e.g.) 18 : 1.8V 30 : 3.0V
延迟时间
电压检测精度 检测电压
PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23)
Pin脚排位
VIN 3
位置. 1 2 3
记号 VOUT VSS VIN 输出 接地 电压输入
解说
ABCDE
FFFF
Marking Specification
1 VOUT 2 VSS
位置 A BC D E F
记号 C或N 18~60 S, M 或 L A 厂方设定 输出模式 检测电压
解说
(顶视图)
延迟时间选择 版本 生产批号
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PIN脚排位 / IC封装记号 (SON-4)
Pin脚排位
VSS 4 NC 3
位置 1 2 3 4 IC封装记号 位置 A BC D E F
记号 VOUT VIN NC VSS 电压输出 电压输入
解说
ABCDE
FFFF
不接 (开电路) 接地
1 VOUT
2 VIN
记号 C或N 18~60 S, M 或 L A 厂方设定 输出模式 检测电压
解说
(Top view)
延迟时间选择 版本 生产批号
典型应用电路
CMOS式输出 N-沟道式输出
VOUT VIN VSS
100KΩ VIN
VOUT
VSS
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IC电路图
CMOS式输出
VIN VIN
N-沟道式输出
+
Voltage Reference
_
Delay circuit
VOUT
Voltage Reference
+ _
Delay circuit
VOUT
Vss
Vss
绝对最大工作范围值
项目 电压输入范围 输出电流 电压输出范围 功率耗散
※1)
符号 VIN IOUT VOUT SOT-23 SON-4 PD PD TOPR TSTG
规格 –0.3 ~ +7.0 50 VSS –0.3 ~ VIN +0.3 400 (on PCB) 400 (on PCB) –40 ~ +85 –55 ~ +125
单位 V mA V mW mW °C °C
工作温度范围 储存温度范围
注: ※1)
功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定 PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.
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电子规格
(Ta=25°C 除非另有注明) 项目 工作电压范围 检测电压 滯後现象范围 符号 VIN VDET VHYS VIN=0.7V VIN=1.0V N-ch VDS=0.5V 输出电流 IOUT VIN=4.0V VIN=5.0V CMOS P-ch VDS=2.1V CMOS N-ch VDS=2.1V VIN=6.0V VIN=6.0V VIN=1.5V VIN=2.0V 电流功耗 ISS VIN=3.0V VIN=4.0V VIN=5.0V 流失电流 电压检测温度特征 ILEAK ∆VDET / ∆Ta•VDET VIN=6.0V VOUT=6.0V VDET = 1.8V ~ 6.0V Ta = –40°C ~ +85°C 6.0 7.0 1.5 10 延迟时间 VDR→VOUT inversion TDLY VIN = 0.7V ~ 6.0V 50 80 12.8 13.8 -9.5 9.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 10 ±20 -1.5 2.1 2.5 2.8 3.0 3.4 100 50 200 400 mA mA mA mA μA μA μA μA μA nA ppm/°C ms ms ms 5 3 1 2 4 3 VIN=2.0V VIN=3.0V 条件 VDET = 1.8V ~ 6.0V VDET = 1.8V ~ 6.0V Ta = –40°C ~ +85°C 最低 0.7 VDET ×0.99 VDET ×0.02 0.1 1.0 3.0 5.0 一般 VDET VDET ×0.05 0.35 2.3 8.2 11.1 最高 6.0 VDET ×1.01 VDET ×0.08 单位 V V V mA mA mA 3 mA 测试 电路 1 1 1
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测试电路
电路 (1) – 工作电压，检测电压，滯後现象范围，电压检测温度特征
VIN VIN V VSS VOUT
R
100KΩ *1)
V
注 1) : 在CMOS式输出的产品上电阻(100KΩ)可以省掉
电路 (2) – 电流功耗
A
电路 (3) – N-沟道驱动输出电流
VIN VIN VIN VOUT VSS
VIN VOUT VSS VDS A
电路 (4) – P-沟道驱动输出电流
电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向)
VIN VIN VOUT VSS A
VDS
VIN VOUT
R
100KΩ
*1)
波形型号量度 VSS
注 1) : 在CMOS式输出的产品上电阻 (100KΩ) 可以省掉
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工作原理解说
一般运作 (CMOS式输出) 请产考以下CMOS式输出的VDD系列电路图 ;
VIN
+
Voltage Reference
_
Delay Circuit
P-ch
VOUT
N-ch
Vss
A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供，因此时电路内的N-沟道 三极管 为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时 输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。 B. 当 输入电压 (VIN) 下降至低于设定的检测电压 (VDET), 电 路内的 N- 沟道三极管 为 ON 状态， 而 P-沟道三极管会成为OFF。此外，此情况 下电压输出(VOUT)与地电压(VSS)相等。 C. 当 输入电压 (VIN) 下降至低于最低工作电压 , 电压输出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输 出被拉至输入电压时电压输出 (VOUT) 水平会 达至输入电压(VIN)水平。 D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时, 虽 然输入电压 (VIN) 升高于检测电压 (V DET ) ， 在不超于释放电压 (V REL ) 的情况下，地电压 (VSS)会保持原来的水平。 E. 随 着延迟时间 , 当 输入电压 (VIN) 升至超于释 放电压 (VREL) 时，内置的 N- 沟道三极管会成 OFF状态，而P-沟道三极管会成ON状态。此 外 , 在 此情况下输出电压 (VOUT) 与 输入电压 (VIN) 相等 . 此释放电压(VREL) 与检测电压(VD ET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。 [ 运作时间表 ]
输入电压 (VIN)
释放电压 (VREL) 检测电压 (VDET)
最低工作电压 地电压 (VSS)
输出电压 (VOUT)
释放电压 (VREL) Detection voltage (VDET) 滯後现象范围(VHYS) 延迟时间 (TDLY) 最低工作电压 地电压 (VSS)
AB
C
DE
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一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0
Ta=+25°C
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V 3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0
Ta=+25°C Ta=-40°C
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
Ta=+85°C
1.5
Ta=-40°C
1.0 0.5 0
0
1
2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V)
6
7
0
1
2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V)
6
7
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
3.0 Supply Current : IDD (µA) 2.5 2.0
Ta=+25°C
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C Ta=-40°C
1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5
Ta=-40°C
6
7
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 1.92 1.90 1.88 1.86 1.84 1.82 1.80 1.78 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 2.66 2.64 2.62 2.60 2.58 2.56 2.54 2.52 2.50 2.48 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 3.75 3.70 3.65 3.60 3.55 3.50 3.45 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage
VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
Detect & Release Voltage : VDET & VREL (V) 4.80 4.75 4.70 4.65 4.60 4.55 4.50 4.45 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
Detect Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
Release Voltage
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一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
2.5 Output Voltage : VOUT (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0
VDET VREL
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0
VDET VREL
Ta=25°C
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 Input Voltage : VIN (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Voltage : VIN (V)
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
4.0 Output Voltage : VOUT (V) 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Input Voltage : VIN (V)
VDET VREL
VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C Output Voltage : VOUT (V) 5.0 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Input Voltage : VIN (V)
VDET VREL
Ta=25°C
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一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C
VIN=0.8V
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C
=1.5V VIN=0.8V
Output Current : IOUT (mA)
VIN=0.7V VIN=0.7V
Output Current : IOUT (mA)
VIN=1.0V VIN=0.7V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VDS (V)
VDS (V)
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C
VIN=0.8V
VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Ta=25°C
VIN=0.8V
Output Current : IOUT (mA)
VIN=0.7V VIN=0.7V
Output Current : IOUT (mA)
VIN=0.7V VIN=0.7V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VDS (V)
VDS (V)
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一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续)
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
10.0 9.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VIN=1.0V VIN=1.5V
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C Output Current : IOUT (mA) 18.0 16.0 14.0 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 VDS (V) 1.5 2.0 2.5
VIN=1.0V VIN=1.5V
Ta=25°C
VIN=2.0V
VDS (V)
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
40.0 Output Current : IOUT (mA) 35.0 30.0 25.0 20.0 15.0 10.0 5.0 0 0 0.5 1.0 1.5 VDS (V) 2.0 2.5 3.0
VIN=1.0V VIN=1.5V VIN=2.0V VIN=3.0V VIN=2.5V
VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C Output Current : IOUT (mA) 60.0 50.0 40.0 30.0 20.0 10.0
VIN=1.5V
Ta=25°C
VIN=4.0V VIN=3.5V VIN=3.0V VIN=2.5V VIN=2.0V
0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 VDS (V)
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一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
12.0 Output Current : IOUT (mA) 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
12.0 10.0 Output Current : IOUT (mA) 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Input Voltage : VIN (V)
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
14.0 Output Current : IOUT (mA) 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
14.0 Output Current : IOUT (mA) 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 Input Voltage : VIN (V)
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
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VDD 系列
一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
10.0 9.0 8.0 Output Current : IOUT (mA) 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8
VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V
Ta=25°C
Input Voltage : VIN (V)
VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
10.0 9.0 8.0 Output Current : IOUT (mA) 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8
VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V
Ta=25°C
Input Voltage : VIN (V)
VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
10.0 9.0 8.0 Output Current : IOUT (mA) 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8
VDS=0.5V VDS=1.0V VDS=1.5V VDS=2.1V
Ta=25°C
Input Voltage : VIN (V)
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一般特征 – 延迟时间选择 vs. 温度
VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
200 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40
VIN=6.0V VIN=5.4V
VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
200 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40
VIN=6.0V VIN=5.4V
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
20 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
20 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
50 45 Delay Time : TDLY (msec) 40 35 30 25 20 15 10
VIN=6.0V VIN=5.4V
VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C 200 180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40
VIN=6.0V VIN=5.4V
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
5 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
20 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature : Ta (°C)
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Rev. C09-09
VDD 系列
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 输入电压
VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 2.0 2.5
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 2.5 3.0
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VIN=2.36V~6.0V, Step=0.2V
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
50 Delay Time : TDLY (msec) 45 40 35 30 25 20 15 10 2.5 3.0
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
180 Delay Time : TDLY (msec) 160 140 120 100 80 60 40 3.0
Ta=+25°C Ta=–40°C Ta=+85°C
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
VIN=3.2V~6.0V, Step=0.2V
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
16
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
IC封装尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
0.65 –0.15 Min 0.15 0~0.1 0~10° Min 0.15 0.8 1.0 0.15 –0.05 1.1±0.15
+0.11 +0.10
2.9±0.2 0.4±0.1
0~30°
2.8 +0.20 –0.60
(Marked Side)
0.4±0.1 0.95 0.95
0.4±0.1 0.65 –0.15
+0.10
1.9±0.2
1.6 –0.30
+0.15
贴装尺寸建议
0.8±0.1 1.1±0.2
0.8 1.0 1.0
0.8
0.95 1.9
0.95
17
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
2.4
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23)
(单位 : mm)
4.0±0.1 0.2±0.05
+ ø1.5 –00.1
2.0±0.05
3.5±0.05 ø178±2
1.75±0.1 3.35±0.1
Mark
Mark
1.65 max.
ø1.05±0.05
4.0±0.1
装带方向
装卷尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
90° 120° 2.0±0.5 ø13±0.5
(3,000 pcs / 卷)
9.0±0.5
18
.......... Future of the analog world
ø60±1
3.4±0.1
AnaSem Inc.
8.0±0.2
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
IC封装尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
0.1±0.1 (Marked side) 0.25±0.1 0.35
+0.10 -0.05
0.3
+0.10 -0.05
1.3
2.1±0.1
1.6
0.6±0.05
2.0±0.2
2.0±0.2
贴装尺寸建议
0.45 0.6±0.05 0.7 0.7 0.45
0.5 0.7 0.7
0.45
1.3
19
.......... Future of the analog world
AnaSem Inc.
1.8
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SON-4)
(单位 : mm)
4.0±0.1 0.25±0.05
+ ø1.5 –00.1
2.0±0.05
3.5±0.05 ø178±2
1.75±0.1 2.4±0.1
Mark
Mark
0.75±0.1
ø1.05±0.05
4.0±0.1
装带方向
装卷尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
90° 120° 2.0±0.5 ø13±0.5
(3,000 pcs / reel)
9.0±0.5
20
.......... Future of the analog world
ø60±1
AnaSem Inc.
2.4±0.1
8.0±0.2
AnaSem
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