MSB710-RT1

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MSB710-RT1 - PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount - E-Tech Electronics LTD

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PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount MSB710-RT1 COLLECTOR 3 3 1 2 CASE 318D–04, STYLE1 SC–59 2 BASE 1 EMITTER MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C) Rating Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Current - Peak Symbol V (BR)CBO V (BR)CEO V (BR)EBO IC I C(P) Symbol PD TJ T stg Value –60 –50 –7.0 –500 –1.0 Max 200 150 –55 ~ +150 Unit Vdc Vdc Vdc mAdc Adc Unit mW °C °C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature DEVICE MARKING CRX The “X” represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month in which the part was manufactured. N3–1/1

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MSB710-RT1

1. 物料型号： - 型号为MSB710-RT1。

2. 器件简介： - 该器件是一个PNP通用放大晶体管，采用表面贴装封装。

3. 引脚分配： - 根据封装CASE 318D–04, STYLE1 SC–59，可以推断出该晶体管具有三个引脚，分别为基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。

4. 参数特性： - 最大额定值（Ta=25°C）： - 集电极-基极电压：VBRCBO -60 Vdc - 集电极-发射极电压：VBRCEO -50 Vdc - 发射极-基极电压：V(BREBO -7.0 Vdc - 集电极电流-连续：Ic -500 mAdc - 集电极电流-峰值：ICIPy -1.0 Adc - 热特性： - 功率耗散：Po 200 mW - 结温：TJ 150°C - 存储温度：Ts -55~+150°C

5. 功能详解： - 该晶体管是一个PNP型通用放大晶体管，适用于低功耗的放大应用。

6. 应用信息： - 适用于一般放大应用，如音频放大器、信号放大等。

7. 封装信息： - 封装类型为CASE 318D–04, STYLE1 SC–59，这是一种小型表面贴装封装。

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