AIGW50N65F5XKSA1

AIGW50N65F5 Highspeedswitchingseriesfifthgeneration HighspeedfastIGBTinTRENCHSTOPTM5technology  FeaturesandBenefits: C HighspeedF5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresstested •QualifiedaccordingtoAEC-Q101 •Greenpackage(RoHScompliant) •CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/ G E Applications: •Off-boardcharger •On-boardcharger •DC/DCconverter •Power-factorcorrection 1 Packagepindefinition: 2 3 •Pin1-gate •Pin2&backside-collector •Pin3-emitter KeyPerformanceandPackageParameters Type AIGW50N65F5 Datasheet www.infineon.com VCE IC VCEsat,Tvj=25°C Tvjmax Marking Package 650V 50A 1.66V 175°C AG50EF5 PG-TO247-3 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1 2017-06-27 AIGW50N65F5 Highspeedswitchingseriesfifthgeneration TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Datasheet 2 V2.1 2017-06-27 AIGW50N65F5 Highspeedswitchingseriesfifthgeneration MaximumRatings Parameter Symbol Value Unit Collector-emittervoltage,Tvj≥25°C VCE 650 V DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax TC=25°Cvaluelimitedbybondwire TC=100°C IC 80.0 53.5 A Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax1) ICpuls 150.0 A Turn off safe operating area VCE≤650V,Tvj≤175°C,tp=1µs1) - 150.0 A Gate-emitter voltage TransientGate-emittervoltage(tp≤10µs,D