AIKQ200N75CP2XKSA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 沟道 750 V 200 A 576 W 通孔 TO-247-3

数据手册：

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AIKQ200N75CP2XKSA1 数据手册

AIKQ200N75CP2 EDT2 IGBT EDT2 IGBT and emitter controlled diode in TO247PLUS package TO-247PLUS – 3Pin Features • • • • • • • • • • • • • • • • • VCE = 750 V IC = 200 A Best-in-class highest power density, IC = 200 A 750 V collector-emitter blocking voltage capability Suitable for 470 V VDC systems and increase overvoltage margin for 400 V VDC systems Very low VCE(sat), 1.30 V at ICnom = 200 A, 25°C Short circuit robust tsc = 5 µs at VCE = 470 V, VGE = 15 V Self limiting current under short circuit condition Positive thermal coefficient and very tight parameter distribution for easy paralleling A Reduced number of parallel devices is required due to Inom = 200 A Excellent current sharing in parallel operation Smooth switching characteristics, low EMI signature Low gate charge QG Simple gate drive design Co-packed with fast soft recovery emitter controlled 3 diode TO247PLUS package with high creepage distance High reliability 2021-10-27 restricted Copyright © Infineon Te Potential applications • xEV Inverter • DC-link discharge switch • Automotive aux-drives Product validation • Qualified for automotive applications • Qualified according to AEC-Q101 Description C G E Type Package Marking AIKQ200N75CP2 PG-TO247PLUS-3 AKQ20FCP Datasheet www.infineon.com Please read the sections "Important notice" and "Warnings" at the end of this document Revision 1.10 2022-03-16 AIKQ200N75CP2 EDT2 IGBT Table of contents Table of contents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Potential applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Product validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Table of contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 1 Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2 IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3 Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4 Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 5 Package outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 Datasheet 2 Revision 1.10 2022-03-16 AIKQ200N75CP2 EDT2 IGBT 1 Package 1 Package Table 1 Characteristic values Parameter Symbol Note or test condition Values Min. Internal emitter inductance measured 5 mm (0.197 in) from case LE Storage temperature Tstg Soldering temperature Thermal resistance, junction-ambient 2 Typ. Unit Max. 13.0 -55 wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s Rth(j-a) nH 150 °C 260 °C 40 K/W IGBT Table 2 Maximum rated values Parameter Symbol Note or test condition Collector-emitter voltage DC collector current, limited by Tvjmax Pulsed collector current, tp limited by Tvjmax Values Unit 750 V Tc = 25 °C 200 A Tc = 100 °C 200 VCE IC ICpulse Turn-off safe operating area 600 A 600 A ±20 V ±30 V 5 µs Tc = 25 °C 1071 W Tc = 100 °C 535 VCE ≤ 750 V, tp = 1 µs, Tvj ≤ 175 °C Gate-emitter voltage VGE Transient gate-emitter voltage VGE tp

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AIKQ200N75CP2XKSA1

物料型号：AIKQ200N75CP2

器件简介：Infineon的EDT2 IGBT和发射极控制二极管，采用TO247PLUS封装。

引脚分配：文档中未明确列出引脚分配，但根据封装类型PG-TO247PLUS-3，可以推断出相应的引脚配置。

参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCESAT）：最小值未给出，典型值1.3V，最大值1.5V（Tvj=25°C） - 门-发射极阈值电压（VGEth）：最小值5V，典型值5.8V，最大值6.5V（Ic=2.6 mA, VcE=VGE, T=25°C） - 栅极电荷（QG）：在Ic=200A, VGE=15V, Vcc=600V, VE=600V条件下，典型值为1256nC

功能详解： - 该IGBT设计用于高功率密度应用，具有200A的连续电流能力和750V的集电极-发射极阻断电压能力。 - 适用于470V直流系统，并为400V直流系统提供过电压余量。 - 具有非常低的VCE(sat)和短路鲁棒性，短路时间tsc为5微秒（在VCE=470V, VGE=15V条件下）。

应用信息： - 适用于xEV逆变器、直流母线放电开关和汽车辅助驱动等应用。

封装信息： - TO247PLUS封装，具有高爬电距离和高可靠性。

产品验证： - 符合汽车应用要求，根据AEC-Q101标准进行认证。

数据手册链接：[www.infineon.com](www.infineon.com)

文档修订历史： - 最终数据手册发布于2022年2月16日，修订版本1.10发布于2022年3月16日。

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