AIKW50N65RF5
CoolSiC™ Hybrid Discrete for Automotive
Discrete 650V Hybrid with TRENCHSTOPTM5Fast-SwitchingIGBTand
CoolSiCTM SchottkyDiodeG5forAutomotive
FeaturesandBenefits:
C
•Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant
topologies
•650Vbreak-downvoltage
•TrenchstopTM5fast-switchingIGBT
•CoolSiCTMSchottkyDiodeG5
•LowgatechargeQG
•Maximumjunctiontemperature175°C
•QualifiedaccordingtoAEC-Q101/100
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
G
E
Applications:
•On-boardcharger
•DC/DCconverter
Packagepindefinition:
•Pin1-gate
•Pin2&backside-collector
•Pin3-emitter
G
C
E
KeyPerformanceandPackageParameters
Type
AIKW50N65RF5
Datasheet
www.infineon.com
VCE
IC
VCEsat,Tvj=25°C
Tvjmax
Marking
Package
650V
50A
1.6V
175°C
AK50ERF5
PG-TO247-3
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V 2.5
2021-02-09
AIKW50N65RF5
CoolSiC™ Hybrid Discrete for Automotive
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Datasheet
2
V 2.5
2021-02-09
AIKW50N65RF5
CoolSiC™ Hybrid Discrete for Automotive
MaximumRatings
Parameter
Symbol
Value
Unit
VCE
650
V
IC
80.0
46.0
A
ICpuls
150.0
A
-
150.0
A
IF
40.0
27.0
A
IFpuls
100.0
A
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp≤10µs,D
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