物料型号：AUIRFS4010-7P
器件简介：这款HEXFET® Power MOSFET采用先进的制程技术，具有超低导通电阻、175°C的工作温度、快速开关速度和增强的重复雪崩能力。它适用于汽车应用和多种其他应用。
引脚分配：D2Pak 7引脚封装，包括栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)。
参数特性：
- 持续漏源电流(ID)：最大190A（25°C时）、130A（100°C时）
- 脉冲漏源电流(DM)：740A
- 最大功率耗散(P)：380W（25°C时）
- 栅源电压(VGs)：±20V
- 雪崩能量(EAS)：330mJ
功能详解：
- 该器件具有先进的制程技术，提供超低导通电阻，提高了效率。
- 设计用于175°C的高温工作环境。
- 快速的开关速度和提高的雪崩能力使其在严苛的汽车应用中非常可靠。
应用信息：特别设计用于汽车应用，也适用于其他多种应用。
封装信息：D2Pak 7引脚封装，提供了详细的尺寸信息和标记信息。
