BGS12AL7-6E6327

物料型号：BGS12AL7-6

器件简介： - BGS12AL7-6是一款通用射频MOS开关，设计用于覆盖从30 MHz到3 GHz的广泛应用。 - 该开关采用单极双刀配置，具有对称设计，提供高设计灵活性。 - 集成了片上CMOS逻辑，只需一个控制线即可驱动。 - 具有低插入损耗、高端口间隔离度、低谐波生成、高ESD鲁棒性等特点。 - 无需外部元件，适用于一般用途，封装为TSLP-7-6，符合RoHS和WEEE标准。

引脚分配： - RF2：射频端口2输出 - GND：地 - RF1：射频端口1输出 - Vdd：供电电压 - RFIN：射频输入端口 - CTRL：控制引脚 - NC：无连接引脚，建议接地

参数特性： - 工作温度范围：-30°C至+85°C - 射频频率范围：0.03 GHz至3 GHz - 控制电压低：-0.3 V至0.3 V - 控制电压高：1.4 V至Vdd - 供电电压：2.4 V至3.6 V - 插入损耗：在1 GHz时为0.35 dB至0.6 dB，在2 GHz时为0.5 dB至0.7 dB - 端口间隔离度：在1 GHz时为32 dB，在2 GHz时为25 dB - 谐波生成：在1 GHz时小于-75 dBm，在2 GHz时小于-80 dBm - 开关时间：开启时间为3至5微秒，关闭时间为0.5至5微秒

功能详解： - BGS12AL7-6采用英飞凌专利的MOS技术制造，提供与GaAs相当的性能，同时具有传统CMOS的经济性和集成度，以及更高的ESD鲁棒性。 - 该开关在所有信号水平上均表现出线性性能，0.1 dB压缩点超过其最大输入功率电平21 dBm。 - 与GaAs技术不同，仅在外部施加直流电压时才需要在射频端口添加外部直流阻断电容器。

应用信息： - 该开关适用于一般用途，无需外部元件，可以简化设计并减少成本。

封装信息： - 封装类型为TSLP7-6，是一种小型无引线封装，符合RoHS和WEEE标准。