BSC019N06NSATMA1

物料型号：BSC019N06NS

器件简介： BSC019N06NS 是由英飞凌公司生产的OptiMOSTM系列中的N沟道MOSFET。

它经过优化，适用于同步整流应用，具有175℃的工作温度范围，通过了100%的雪崩测试，并且具有出色的热阻特性。

此外，它采用了TDSON-8FL封装，具有增大的源极互连，以提高焊接接头的可靠性，并且符合RoHS标准，无铅且无卤素。

引脚分配： 1. S1：源极 2. D1-D7：漏极 3. G：栅极 4. B：背面

参数特性： - 漏源电压（VDs）：60V - 导通电阻（Rds(on)）：最大1.95mΩ - 漏极电流（Id）：最大192A - 输出电容（Coss）：960-1200pF - 雪崩电荷（Qoss）：63nC - 电荷平衡（Qe）：58nC

功能详解： BSC019N06NS具有低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于同步整流行场合。

它的设计还包括了对雪崩能力的测试，增强了器件在高电压应力下的可靠性。

此外，由于其优化的热性能，它可以在高温环境下稳定工作。

应用信息： 该器件适用于多种应用，包括但不限于DC/DC转换器、马达驱动、电源管理、太阳能逆变器和电动汽车充电器等。

封装信息： BSC019N06NS采用TDSON-8FL封装，这是一种小型化、高功率密度的表面贴装封装。

封装的详细信息包括尺寸和引脚布局，可以在数据手册的“Package Outlines”部分找到。

封装特点包括无铅焊接和对环境的低影响。