物料型号：BSC079N10NS G
器件简介：
- 这是N通道功率MOSFET，适用于高频开关和同步整流应用。
- 工作温度范围为-55°C至150°C。
- 符合RoHS标准，无铅和无卤素。
引脚分配：PG-TDSON-8封装，共8个引脚。
参数特性：
- 连续漏极电流（ID）：25°C时为100A，100°C时为64A。
- 脉冲漏极电流（ID,pulse）：25°C时为400A。
- 雪崩能量（EAS）：377mJ。
- 栅源电压（VGs）：+20V。
- 总功耗（Ptot）：25°C时为156W。
功能详解：
- 热特性：包括结到外壳的热阻（RthJC）和结到环境的热阻（RthJA）。
- 静态特性：包括漏源击穿电压（(BR)DSS）、栅阈值电压（VGS(th)）、零栅电压漏电流（Ipss）等。
- 动态特性：包括输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）、反向传输电容（Crss）等。
应用信息：
- 适用于高频率开关和同步整流。
封装信息：
- 封装类型为PG-TDSON-8，提供了详细的尺寸信息。
