BSM100GB120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 100 200 200 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 0,78 kW VGES +/- 20V V IF 100 A IFRM 200 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C 2 It - kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 100A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 100A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 4mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 V V 6,5 V VGE = -15V...+15V QG - 1,1 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 6,5 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES - 0,01 0,5 - 0,5 nF mA mA IGES - 400 nA prepared by: Mark Münzer approved by: Jens Thurau date of publication: 02.12.1998 revision: 1a 1(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 100A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 100A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 100A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 100A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 6,8 Ω, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip TC=25°C IC = 100A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 6,8W, Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 100A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 6,8 Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V, R G = 6,8 Ω TVj≤125°C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 650 25 A nH Eoff 12 mWs Eon 10 mWs tf 0,06 0,08 µs µs td,off 0,35 0,40 µs µs tr 0,05 0,05 µs µs td,on 0,06 0,06 µs µs min. typ. max. RCC‘+EE‘ - 0,60 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 100A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 100A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 100A, - di F/dt = 2700A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 100A, - di F/dt = 2700A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 100A, - di F/dt = 2700A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Erec 4 9 mWs mWs Qr 12 22 µAs µAs IRM 125 155 A A VF min. - typ. 1,8 1,7 max. 2,3 V V 2(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λPaste = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthCK RthJC - typ. 0,01 max. 0,16 0,3 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M6 M1 3 AL2O3 20 mm 11 mm 275 6 Nm M2 2,5 5 Nm G 420 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) V GE = 15V vorläufige Daten preliminary data 200 175 Tj = 25°C 150 125 Tj = 125°C IC [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 200 175 VGE = 17V IC = f (VCE) T vj = 125°C 150 125 VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V IC [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 200 175 Tj = 25°C 150 125 Tj = 125°C IC [A] 100 75 50 25 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 200 175 Tj = 25°C IF = f (VF) 150 125 Tj = 125°C IF [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=15V, Rgon = Rgoff =6,8 Ω , VCE = 600V, T j = 125°C 30 Eoff 25 Eon Erec 20 E [mJ] 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 40 35 30 25 E [mJ] 20 15 10 5 0 0 5 10 15 Eoff Eon Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V , I C = 100A , V CE = 600V , T j = 125°C 20 25 30 35 RG [Ω] 6(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) preliminary data 1 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 71,26 0,006 81,89 0,006 2 54,24 0,029 122,02 0,035 3 34,43 0,043 63,19 0,033 4 0,06 1,014 32,9 0,997 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 250 VGE = 15V, R g = 6,8 Ohm, T vj= 125°C 200 IC [A] 150 IC,Modul IC,Chip 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) DB_BSM100GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GB120DLC vorläufige Daten preliminary data 8(8) DB_BSM100GB120DLC.xls