BSM150GB120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 150 300 300 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 1,2 kW VGES +/- 20V V IF 150 A IFRM 300 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C 2 It - kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 6mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 V V 6,5 V VGE = -15V...+15V QG - - - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 11 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES - 0,01 0,5 - 0,5 nF mA mA IGES - 400 nA prepared by: Mark Münzer approved by: Jens Thurau date of publication: 02.12.1998 revision: 1a 1(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5,6 Ω, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip TC=25°C IC = 150A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 5,6 Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 150A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 5,6 Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V, R G = 5,6 Ω TVj≤125°C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 950 25 A nH Eoff 18 mWs Eon 17 mWs tf 0,04 0,05 µs µs td,off 0,57 0,57 µs µs tr 0,05 0,07 µs µs td,on 0,05 0,06 µs µs min. typ. max. RCC‘+EE‘ - 0,6 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 150A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 150A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 150A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 150A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 150A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Erec 4 10 mWs mWs Qr 17 32 µAs µAs IRM 180 220 A A VF min. - typ. 1,8 1,7 max. 2,3 V V 2(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λΠαστε = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthCK RthJC - typ. 0,01 max. 0,1 0,25 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M6 M1 3 AL2O3 20 mm 11 mm 275 6 Nm M2 2,5 5 Nm G 420 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) V GE = 15V vorläufige Daten preliminary data 300 250 Tj = 25°C Tj = 125°C 200 IC [A] 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 300 IC = f (VCE) T vj = 125°C 250 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V 200 VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V IC [A] 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 300 250 Tj = 25°C Tj = 125°C 200 IC [A] 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 300 IF = f (VF) 250 Tj = 25°C Tj = 125°C 200 IF [A] 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=15V, Rgon = Rgoff =5,6 Ω , VCE = 600V, T j = 125°C 50 45 40 35 E [mJ] 30 25 20 15 10 5 0 0 50 100 150 200 250 300 Eoff Eon Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 80 70 60 50 E [mJ] 40 30 20 10 0 0 5 10 15 Eoff Eon Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V , I C = 150A , V CE = 600V , T j = 125°C 20 25 30 35 40 45 RG [Ω] 6(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) preliminary data 1 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 44,54 0,006 68,24 0,006 2 33,9 0,029 101,68 0,035 3 21,52 0,043 52,66 0,033 4 0,04 1,014 27,42 0,997 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 350 300 250 VGE = 15V, R g = 5,6 Ohm, T vj= 125°C IC [A] 200 150 100 50 0 0 IC,Modul IC,Chip 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data 8(8) DB_BSM150GB120DLC.xls