BSM 150 GB 120 DN2
IGBT Power Module
• Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate
Type BSM 150 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 kΩ Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C
VCE
IC
Package HALF-BRIDGE 2
Ordering Code C67076-A2108-A70
1200V 210A
Symbol VCE VCGR
Values 1200 1200
Unit V
VGE IC
± 20 A 210 150
Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Chip temperature Storage temperature Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Insulation test voltage, t = 1min. Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1
ICpuls 420 300 Ptot 1250 Tj Tstg RthJC RthJCD Vis + 150 -40 ... + 125 ≤ 0.1 ≤ 0.25 2500 20 11 F 40 / 125 / 56 sec Vac mm K/W °C W
1
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol min. Static Characteristics Gate threshold voltage VGE = VCE, IC = 6 mA Collector-emitter saturation voltage VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 25 °C VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 125 °C Zero gate voltage collector current VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C Gate-emitter leakage current VGE = 20 V, VCE = 0 V AC Characteristics Transconductance VCE = 20 V, IC = 150 A Input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Output capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Crss 0.6 Coss 1.6 Ciss 11 gfs 62 nF S IGES 320 ICES 2 8 2.8 nA VCE(sat) 2.5 3.1 3 3.7 mA VGE(th) 4.5 5.5 6.5 V Values typ. max. Unit
2
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol min. Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C Turn-on delay time VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A RGon = 5.6 Ω Rise time VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A RGon = 5.6 Ω Turn-off delay time VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A RGoff = 5.6 Ω Fall time VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A RGoff = 5.6 Ω Free-Wheel Diode Diode forward voltage IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C Reverse recovery time IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -1500 A/µs, Tj = 125 °C Reverse recovery charge IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -1500 A/µs Tj = 25 °C Tj = 125 °C 5 18 Qrr 0.4 µC trr VF 2.3 1.8 2.8 µs V 70 100 tf 600 800 td(off) 100 200 tr 200 400 td(on) ns Values typ. max. Unit
3
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Power dissipation Ptot = ƒ(TC) parameter: Tj ≤ 150 °C
1300 W 1100 Ptot 1000 900 800 700 600 500
Safe operating area IC = ƒ(VCE) parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
10 3
t = 18.0µs p
A IC 10 2
100 µs
1 ms
10 1 400 300 200 100 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 0 0 10 10
1 10 ms
10
2
DC 3 10
V
TC
VCE
Collector current IC = ƒ(TC) parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
240 A 200 IC 180 160 140 120 100 80 60 40
Transient thermal impedance Zth JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T
10 0
IGBT
K/W ZthJC
10 -1
10 -2 D = 0.50 0.20 0.10 10 -3 0.05 0.02 0.01 single pulse
20 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 -4 -5 10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
TC
tp
4
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Typ. output characteristics IC = f (VCE) parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C
300 A 260 IC 240 220 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 V VCE 5 17V 15V 13V 11V 9V 7V
Typ. output characteristics IC = f (VCE) parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C
300 A 260 IC 240 220 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 V VCE 5 17V 15V 13V 11V 9V 7V
Typ. transfer characteristics IC = f (VGE) parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V
300 A 260 IC 240 220 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0
2
4
6
8
10
V 14 VGE
5
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Typ. gate charge VGE = ƒ(QGate) parameter: IC puls = 150 A
20 V
Typ. capacitances
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 2
nF VGE 16 14 12 10 8 10 0 6 4 2 0 0 200 400 600 800 nC 1100 10 -1 0 600 V 800 V C 10 1
Ciss
Coss Crss
5
10
15
20
25
30
QGate
V VCE
40
Reverse biased safe operating area ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C parameter: VGE = 15 V
2.5
Short circuit safe operating area ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 µs, L < 25 nH
12
ICpuls/IC
ICsc/IC
8 1.5 6 1.0 4
0.5 2
0.0 0
200
400
600
800
1000 1200
V 1600 VCE
0 0
200
400
600
800 1000 1200
V 1600 VCE
6
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Typ. switching time I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 5.6 Ω
10 4
Typ. switching time t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 150 A
10 4
ns t 10 3 tdoff t
ns tdoff 10 3
tdon tdon tr 10 2 tf 10 2 tf tr
10 1 0
50
100
150
200
250
300
A IC
400
10 1 0
10
20
30
40
Ω
60 RG
Typ. switching losses E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 5.6 Ω
120
Typ. switching losses E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 150 A
120
mWs E
Eon
mWs E
80
80
Eon
60
60
40 Eoff
40 Eoff 20
20
0 0
50
100
150
200
250
300
A IC
400
0 0
10
20
30
40
Ω
60 RG
7
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery reverse diode IF = f(VF) parameter: Tj
300 A 260 IF 240 220 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V VF 3.0 Tj=125°C Tj=25°C
Transient thermal impedance Zth JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T
10 0
Diode
K/W ZthJC
10 -1
10 -2 D = 0.50 0.20 0.10 10 -3 single pulse 0.05 0.02 0.01
10 -4 -5 10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
tp
8
Oct-21-1997
BSM 150 GB 120 DN2
Circuit Diagram
Package Outlines Dimensions in mm Weight: 420 g
9
Oct-21-1997
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM150GB120DN2
Anhang C-Serie Appendix C-series
Gehäuse spezifische Werte Housing specific values
Modulinduktivität stray inductance module LsCE
typ.
20 nH
Gehäusemaße C-Serie Package outline C-series
Appendix C-series
Appendix_C-Serie_BSM150GB120DN2.xls 2001-09-20
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Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte für die von Ihnen anvisierte Anwendungsowie die Beurteilung der Vollständigkeitder s bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendungobliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale besch rieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließl nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen ich Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaft n keinesfalls übernommen. e Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenbl hinausgehen und insbesondere atts eine spezifische Verwendung und den Einsatzdieses Produktes betreffen, setzen Siesich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessent halten wir Application Notes bereit. en Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt geundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu s den in diesem Produkt jeweils enthaltenen S ubstanzen setzen Sie sich bitte ebenfallsmit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüroin Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen ei nzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung einesRisiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Q ualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmenzu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung v n der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig o machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produkt atenblatts bleiben vorbehalten. d
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