BSM150GB170DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 150 300 300 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 1250 W VGES +/- 20V V IF 150 A IFRM 300 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 4.500 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance IC = 150A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 150A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 7mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,6 3,1 5,5 max. 3,2 3,6 6,5 V V V VGE = -15V ... +15V QG - 1,8 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 10 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C Cres ICES - 0,5 0,05 4 0,3 nF mA mA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 200 nA prepared by: Regine Mallwitz approved by: Chr. Lübke; 28.11.2000 date of publication: 28.11.2000 revision: 2 (Series) 1(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 150A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 150A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 150A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 150A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 10Ω , Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm IC = 150A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 10Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 150A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 10Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 600 30 A nH Eoff 46 mWs Eon 70 mWs tf 0,03 0,03 µs µs td,off 0,8 0,9 µs µs tr 0,1 0,1 µs µs td,on 0,1 0,1 µs µs min. typ. max. RCC’+EE’ - 0,6 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 150A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 150A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 150A, - diF/dt = 1700A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 150A, - diF/dt = 1700A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 150A, - diF/dt = 1700A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Erec 15 30 mWs Qr 35 60 µAs µAs IRM 110 130 A A VF min. - typ. 2,1 2,1 max. 2,5 2,5 V V 2(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK RthJC - typ. - max. 0,1 0,24 0,012 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight max. 5 Nm Al2O3 20 mm 11 mm terminals M6 max. G 340 5 Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) VGE = 15V 300 250 200 IC [A] 150 100 Tj = 25°C Tj = 125°C 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 300 I C = f (VCE) Tvj = 125°C 250 VGE = 19V VGE = 15V VGE = 13V 200 VGE = 11V VGE = 9V IC [A] 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE) VCE = 20V 300 Tj = 25°C Tj = 125°C 250 200 IC [A] 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 300 Tj = 25°C Tj = 125°C I F = f (VF) 250 200 IF [A] 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) Rgon = Rgoff =10Ω , VCE = 900V, Tj = 125°C Switching losses (typical) 250 Eoff 200 Eon Erec E [mJ] 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 300 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 160 140 120 100 E [mJ] 80 60 40 20 0 0 10 20 Eoff Eon Erec E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG) IC = 150A , VCE = 900V , Tj = 125°C 30 40 50 RG [Ω ] 6(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 ZthJC = f (t) 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 11,16 0,0047 44,67 0,0062 2 32,28 0,0356 88,51 0,0473 3 48,09 0,0613 88,51 0,0473 4 8,47 0,4669 18,32 0,2322 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 350 Rg = 10 Ohm, Tvj= 125°C 300 IC,Modul IC [A] 250 IC,Chip 200 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) BSM150GB170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC vorläufige Daten preliminary data 8(8) BSM150GB170DLC