BSM200GA170DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC=80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 200 400 400 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 1920 W VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 11.000 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 10mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,6 3,1 5,5 max. 3,2 3,6 6,5 V V V VGE = -15V ... +15V QG - 2,4 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 15 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES - 0,7 0,1 6 - 0,4 nF mA mA IGES - 200 nA prepared by: Regine Mallwitz approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000 date of publication: 28.11.2000 revision: 2 (Series) 1(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 7,5Ω , Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 7,5Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 7,5Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 7,5Ω TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 800 15 A nH Eoff 65 mWs Eon 90 mWs tf 0,03 0,03 µs µs td,off 0,8 0,9 µs µs tr 0,1 0,1 µs µs td,on 0,1 0,1 µs µs min. typ. max. RCC’+EE’ - 0,5 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 200A, - diF/dt = 2300A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 200A, - diF/dt = 2300A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 200A, - diF/dt = 2300A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Erec 25 50 mWs mWs Qr 60 105 µAs µAs IRM 160 220 A A VF min. - typ. 2,1 2,1 max. 2,5 2,5 V V 2(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per Module dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm RthCK RthJC - typ. - max. 0,065 0,14 0,012 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M6 max. 5 Nm Al2O3 20 mm 11 mm max. max. G 420 2 5 Nm Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) VGE = 15V 450 400 350 300 IC [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Tj = 25°C Tj = 125°C VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 450 400 350 300 VGE = 19V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V I C = f (VCE) Tvj = 125°C IC [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE) VCE = 20V 450 400 Tj = 25°C 350 300 Tj = 125°C IC [A] 250 200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 450 400 Tj = 25°C I F = f (VF) 350 300 Tj = 125°C IF [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) Rgon = Rgoff =7,5Ω , VCE = 900V, Tj = 125°C Switching losses (typical) 350 300 250 E [mJ] 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 Eoff Eon Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 250 Eoff Eon E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG) IC = 200A , VCE = 900V , Tj = 125°C 200 Erec E [mJ] 150 100 50 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 RG [Ω ] 6(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 Z thJC = f (t) 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 7,25 0,0047 26,06 0,0062 2 20,98 0,0356 51,63 0,0473 3 31,26 0,0613 51,63 0,0473 4 5,5 0,4669 10,69 0,2322 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 450 400 350 IC,Modul IC,Chip 300 250 200 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 Rg = 7,5 Ohm, Tvj= 125°C IC [A] 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC 8(8) BSM200GA170DLC Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.