BSM300GA120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 300 570 600 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 2270 W VGES +/- 20V V IF 300 A IFRM 600 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C 2 It 19 kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 300A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 300A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 12mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 t.b.d. 6,5 V V V VGE = -15V...+15V QG - t.b.d. - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 22 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES - t.b.d. 20 500 - 500 400 nF µA µA nA IGES - prepared by: Mark Münzer approved by: Jens Thurau date of publication: 18.02.1999 revision: 1 1(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 300A, V CC = 600V VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 300A, V CC = 600V VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 300A, V CC = 600V VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 300A, V CC = 600V VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 3,3 Ω, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip TC=25°C IC = 300A, V CC = 600V, V GE = 15V RG = 3,3 Ω, Tvj = 125°C, LS = 90nH IC = 300A, V CC = 600V, V GE = 15V RG = 3,3 Ω, Tvj = 125°C, LS = 90nH tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V, R G = 3,3 Ω TVj≤125°C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 1800 16 A nH Eoff 39 mWs Eon 29 mWs tf 0,06 0,09 µs µs td,off 0,54 0,59 µs µs tr 0,09 0,1 µs µs td,on 0,09 0,09 µs µs min. typ. max. RCC‘+EE‘ - 0,5 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 300A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 300A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 300A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 300A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 300A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Erec 11 25 mWs mWs Qr 29 60 µAs µAs IRM 250 335 A A VF min. - typ. 1,8 1,7 max. 2,3 t.b.d. V V 2(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module λPaste = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthCK RthJC - typ. 0,010 max. 0,055 0,125 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight screw M5 M1 3 AL2O3 20 mm 11 mm 225 6 Nm terminals M6 terminals M4 G 2,5 1,1 300 5,0 2,0 Nm Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) V GE = 15V vorläufige Daten preliminary data 600 540 480 420 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 360 300 240 180 120 60 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 600 540 VGE = 17V IC = f (VCE) T vj = 125°C 480 420 VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V IC [A] 360 300 240 180 120 60 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 600 540 480 420 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 360 300 240 180 120 60 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 600 540 Tj = 25°C IF = f (VF) 480 420 Tj = 125°C IF [A] 360 300 240 180 120 60 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=15V, Rgon = Rgoff = 3,3 Ω , VCE = 600V, T j = 125°C 100 90 80 70 E [mJ] 60 50 40 30 20 10 0 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 Eoff Eon Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 160 140 120 100 E [mJ] 80 60 40 20 0 0 2 4 6 8 Eoff Eon Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V , I C = 300A , V CE = 600V , T j = 125°C 10 12 14 16 18 20 RG [Ω] 6(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC vorläufige Daten Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) preliminary data 1 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 6,15 0,002 16,36 0,002 2 18,62 0,03 43,32 0,03 3 24,26 0,066 47,27 0,072 4 5,97 1,655 18,05 0,682 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 660 600 540 480 VGE = 15V, R g = 3,3 Ohm, T vj= 125°C IC [A] 420 IC,Modul 360 300 240 180 120 60 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 IC,Chip VCE [V] 7(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GA120DLC Single Switch 62 M6 vorläufige Daten preliminary data 28,5 13 23 16,1 22 ø6,4 2 1 4 5 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 IS6 3 8(8) DB_BSM300GA120DLC_V.xls