BSM300GA170DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC=80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 300 600 600 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 2500 W VGES +/- 20V V IF 300 A IFRM 600 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 18.000 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 300A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 14mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,6 3,1 5,5 max. 3,2 3,6 6,5 V V V VGE = -15V ... +15V QG - 3,6 - µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 20 - nF f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C Cres ICES - 1,0 0,1 8 - 0,6 nF mA mA IGES - 200 nA prepared by: Regine Mallwitz approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000 date of publication: 28.11.2000 revision: 2 (Series) 1(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 300A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 300A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 300A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 300A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 25°C VGE = ±15V, RG = 5Ω , Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm IC = 300A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 5Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 300A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 5Ω , Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 5Ω TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC LsCE 1200 15 A nH Eoff 95 mWs Eon 130 mWs tf 0,03 0,03 µs µs td,off 0,8 0,9 µs µs tr 0,1 0,1 µs µs td,on 0,1 0,1 µs µs min. typ. max. RCC’+EE’ - 0,5 - mΩ Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 300A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 300A, - diF/dt = 3400A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Erec 35 65 mWs mWs Qr 75 120 µAs µAs IRM 230 360 A A VF min. - typ. 2,1 2,1 max. 2,5 2,5 V V 2(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per Module dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm RthCK RthJC - typ. - max. 0,05 0,12 0,012 K/W K/W K/W Tvj - - 150 °C Top -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M6 max. 5 Nm Al2O3 20 mm 11 mm max. max. G 420 2 5 Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) VGE = 15V 650 600 550 500 450 400 IC [A] 350 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Tj = 25°C Tj = 125°C VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 650 600 550 500 450 400 VGE = 19V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V I C = f (VCE) Tvj = 125°C IC [A] 350 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE) VCE = 20V 650 600 550 500 450 400 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 350 300 250 200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 650 600 550 500 450 400 Tj = 25°C Tj = 125°C I F = f (VF) IF [A] 350 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) Rgon = Rgoff = 5Ω , VCE = 900V, Tj = 125°C Switching losses (typical) 450 400 350 300 E [mJ] 250 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 Eoff Eon Erec IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 300 Eoff Eon Erec E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG) IC = 300A , VCE = 900V , Tj = 125°C 250 200 E [mJ] 150 100 50 0 0 5 10 15 20 25 RG [Ω ] 6(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 ZthJC = f (t) 0,1 ZthJC [K / W] 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 5,58 0,0047 22,34 0,0062 2 16,14 0,0356 44,26 0,0473 3 24,05 0,0613 44,26 0,0473 4 4,23 0,4669 9,16 0,2322 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 650 600 550 500 IC,Modul IC,Chip Rg = 5 Ohm, T vj= 125°C IC [A] 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) BSM300GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GA 170 DLC 8(8) BSM300GA170DLC Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 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